ERS 高功率液冷卡盤(pán)系統：破解AI芯片晶圓測試的溫控難題

人工智能芯片的飛速發(fā)展正深刻改變著(zhù)半導體行業(yè)。如今的高性能 CPU 和 GPU 在單個(gè)基板上集成了數十億個(gè)晶體管，并通過(guò)2.5D和3D堆疊等先進(jìn)封裝技術(shù)提升計算效率、降低延遲。然而，隨著(zhù)人工智能芯片日益復雜，業(yè)界開(kāi)始呼吁將測試階段前移至晶圓測試。這種轉變不僅能在制造過(guò)程中更早地篩查出缺陷芯片，減少浪費，還能顯著(zhù)提升總體產(chǎn)量，帶來(lái)可觀(guān)的成本優(yōu)勢。

盡管晶圓測試有諸多優(yōu)勢，卻面臨著(zhù)一項嚴峻挑戰：散熱問(wèn)題。人工智能芯片為應對高性能計算負載而設計，這意味著(zhù)測試過(guò)程中會(huì )產(chǎn)生大量熱量。若無(wú)法有效控制溫度，熱量積聚將導致測試結果失真、探針受損，甚至可能危及芯片本身。與最終測試階段可通過(guò)封裝集成冷卻方案不同，晶圓級測試需要采用完全不同的散熱機制來(lái)應對熱負荷。

挑戰的核心在于電氣探測所用的微凸塊密度極高。這些測試點(diǎn)數量可達數千個(gè)，直徑僅幾微米，必須確保精確接觸，以保證數據傳輸的穩定性。然而，龐大的連接數量和高功率密度往往導致局部熱量集中，因而精確的溫控至關(guān)重要。若散熱不佳，極易引發(fā)熱失控，進(jìn)而影響測試精度，導致結果失真。

為了解決這一難題，ERS 推出了高功率液冷卡盤(pán)系統。在測試復雜的嵌入式處理器和高并行性器件時(shí)，該系統可為被測器件（DUT）提供精準的溫度管理。憑借先進(jìn)的卡盤(pán)熱交換器，液冷卡盤(pán)系統在 -40°C 時(shí)即可耗散高達 2500W的功率（300 mm 晶圓），且溫度均勻性保持在業(yè)界領(lǐng)先的 ±0.2°C。此外，該系統還支持單獨芯粒及全晶圓接觸測試，滿(mǎn)足多樣化測試需求。

成功攻克復雜嵌入式處理器和高并行性器件的晶圓測試難題，標志著(zhù)半導體行業(yè)邁出了重要一步。解決溫控挑戰不僅能提升測試效率，還能進(jìn)一步提高良率與成本效益。隨著(zhù)人工智能驅動(dòng)硬件需求的持續增長(cháng)，投資尖端的晶圓級測試解決方案已成為企業(yè)保持競爭力的關(guān)鍵。

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