KAUST：超寬禁帶氧化鎵晶相異質(zhì)結

在科技的快速發(fā)展中，超寬禁帶半導體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點(diǎn)。而在近日，沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)（KAUST）先進(jìn)半導體實(shí)驗室一項關(guān)于超寬禁帶氧化鎵（Ga2O3）晶相異質(zhì)結（Phase Heterojunction）的新研究發(fā)表在《Advanced Materials》上。論文第一作者為陸義博士。文章首次在實(shí)驗中展示了β相和κ相Ga2O3之間的清晰的、明確的、原子排列有序的、并具有II型能帶對齊的晶相異質(zhì)結，為研究Ga2O3/Ga2O3晶相異質(zhì)結提供了新的見(jiàn)解，并證明利用晶相異質(zhì)結可以極大促進(jìn)電子器件的發(fā)展。

具體研究?jì)热?/span>

超寬禁帶半導體氧化鎵（Ga2O3）因其超寬禁帶寬度、較高的電子遷移率以及高擊穿電場(chǎng)，正逐漸成為先進(jìn)電子器件（如日盲探測和高功率電子器件）的理想候選材料。氧化鎵表現出多種晶相，包括α、β、γ、δ、ε和κ相。其中，具有單斜結構的β相氧化鎵因其熱力學(xué)穩定性和襯底的可用性而最受關(guān)注?；谕庋应孪嘌趸壉∧さ纳钭贤馓綔y器、肖特基二極管及場(chǎng)效應晶體管的應用已得到廣泛驗證。近年來(lái)，研究通過(guò)金屬氧化物催化外延生長(cháng)，利用Sn作為催化劑成功誘導κ相氧化鎵的形成。這種方法生產(chǎn)的κ相氧化鎵薄膜表現出高質(zhì)量及卓越的器件性能。

與氧化鎵類(lèi)似，許多材料本身也具有多種晶相，每種晶相都呈現出獨特的結構特性。即使是相同材料的不同晶相，其物理和化學(xué)特性也可能因載流子遷移率、化學(xué)穩定性及能帶結構的差異而顯著(zhù)變化。部分研究已報道了“晶相異質(zhì)結(Phase Heterojunction)”的成功構建，即在同一材料的不同晶相之間形成的結。這些異質(zhì)結在多種應用中表現出顯著(zhù)的性能提升，包括太陽(yáng)能電池、光催化、晶體管、水分解以及光電探測器。

因此，將不同Ga2O3晶相（α、β、γ、δ、ε和κ）集成以形成Ga2O3/Ga2O3晶相異質(zhì)結，可能通過(guò)各相之間帶隙或電子親和力的差異，產(chǎn)生獨特的異質(zhì)結特性。一些研究通過(guò)對亞穩相（如α相或γ相）退火以部分轉變?yōu)樽顭岱€定的β相，從而形成Ga2O3/Ga2O3結，然而，但這些結通常為隨機分布的多晶混合晶相（mixed phase junctions），界面模糊且具有多種晶體取向，如圖1（a）所示。對于適合晶圓級別半導體制造及研究晶相界面的物理特性來(lái)說(shuō)，清晰的、明確的、原子排列有序的晶相異質(zhì)結（如圖1b）尤為重要，然而，由于兩種晶相間具有相似的化學(xué)計量比以及外延困難，這種晶相異質(zhì)結的研究長(cháng)期以來(lái)被忽視。該異質(zhì)結的形成對于需要高效光生載流子分離的各種電子和光電子應用具有重要潛力。然而，目前關(guān)于Ga2O3異質(zhì)結的能帶排列的直接實(shí)驗驗證仍不明確，其電學(xué)性質(zhì)也因界面外延困難而未被研究。

圖1. 示意圖（a）已報道的混合晶相異質(zhì)結； (b) 本研究中界面清晰的β/κ-Ga2O3晶相異質(zhì)結

因此，在本研究中，我們展示了一種界面清晰的β/κ Ga2O3晶相異質(zhì)結，其具有II型能帶排列，形成耗盡區以高效分離電子-空穴對，并實(shí)現自供電的深紫外探測。圖2可以明顯看出，正交晶系κ-Ga2O3與單斜晶系β-Ga2O3的XRD圖譜存在顯著(zhù)差異。通過(guò)SIMS測得的β相/κ相Ga2O3樣品中元素的分布情況，可以發(fā)現Sn和Si的強度在β相和κ相Ga2O3界面處顯著(zhù)增加。這一現象可歸因于在沉積κ相Ga2O3時(shí)使用的靶材（Ga2O3:SnO2:SiO2，98.4%:1.5%:0.1%，重量比）中含有Si和Sn的成分。Sn的引入具有雙重作用：一方面，在高真空環(huán)境下通過(guò)減少亞氧化物（Ga2O）的刻蝕促進(jìn)了Ga2O3的形成；另一方面，Sn占據了八面體晶格位置，從而促進(jìn)了κ相的合成。此外，由于Si在Ga2O3中具有兩性行為，特別是在κ相Ga2O3中，Si在κ-Ga2O3中作為受主（或補償劑）而非施主，從而導致κ相Ga2O3表現出高絕緣的特性。

圖2 . β相/κ相Ga2O3異質(zhì)結生長(cháng)

圖3 顯示了κ相Ga2O3與β相Ga2O3的高分辨率TEM圖像，清晰地揭示了原子排列及其清晰的界面（用藍色虛線(xiàn)曲線(xiàn)標示）。圖3(c)提供了β相與κ相Ga2O3界面的放大圖，并疊加了原子模型。單斜晶系β相Ga2O3的晶體模型（空間群#12, C2/m）沿[-201]生長(cháng)方向與HR-TEM圖像中的晶格排列很好地匹配。對于κ相Ga2O3，正交晶系的晶體模型（空間群#33, Pna21沿[010]區軸也與HR-TEM圖案一致。界面清晰且通過(guò)原子模型準確映射，展現了從κ相平滑過(guò)渡到β相的β/κ Ga2O3異質(zhì)結.

XPS測試（圖4）揭示了β-Ga2O3/κ-Ga2O3異質(zhì)結的II型能帶對齊，其導帶和價(jià)帶偏移分別為0.71eV和0.65 eV，表明界面處存在強電場(chǎng)。這種界面電場(chǎng)能夠在無(wú)外加偏壓的情況下有效分離光生電子-空穴對。這種II型異質(zhì)結的一個(gè)有前景的應用是檢測日盲深紫外信號，尤其是在自供電模式下。因此，所展示的II型單晶β-Ga2O3/κ-Ga2O3異質(zhì)結，由于其界面電場(chǎng)以及相似的吸收邊，可能在自供電DUV光探測方面表現出更優(yōu)越的性能。

與單個(gè)晶相Ga2O3光電探測器相比，晶相異質(zhì)結的光響應度提升了約三個(gè)數量級。在零偏壓下，所展示的光電探測器的響應度、開(kāi)關(guān)比、探測度、外量子效率以及上升/下降時(shí)間分別達到了17.8mA/W,580.8,1.69×1010Jones,9.2%,and 0.21/0.53秒，其性能優(yōu)于已報道的Ga2O3/Ga2O3混合相異質(zhì)結光電探測器。

圖4. XPS測試及能帶對齊

圖5. 在零偏壓下的光響應光譜

圖6. β/κ-Ga2O3晶相異質(zhì)結光電探測器在不同偏壓下的光電流光譜

結 語(yǔ)

鑒于Ga2O3具有多種晶相（α、β、γ、δ、ε和κ），未來(lái)可通過(guò)構建涉及不同Ga2O3相的各種異質(zhì)結進(jìn)一步研究其異質(zhì)結特性，并推動(dòng)電子器件應用的發(fā)展。本研究中展示的κ/β Ga2O3異質(zhì)結為進(jìn)一步研究Ga2O3/Ga2O3晶相異質(zhì)結提供了新思路，開(kāi)啟了新的探索機會(huì )。未來(lái)，隨著(zhù)更多晶相異質(zhì)結設計的突破，超寬禁帶半導體Ga2O3材料有望在光電和電子技術(shù)領(lǐng)域持續引領(lǐng)創(chuàng )新！