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超寬禁帶
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KAUST：超寬禁帶氧化鎵晶相異質(zhì)結
- 在科技的快速發(fā)展中，超寬禁帶半導體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點(diǎn)。而在近日，沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)（KAUST）先進(jìn)半導體實(shí)驗室一項關(guān)于超寬禁帶氧化鎵（Ga2O3）晶相異質(zhì)結（Phase Heterojunction）的新研究發(fā)表在《Advanced Materials》上。論文第一作者為陸義博士。文章首次在實(shí)驗中展示了β相和κ相Ga2O3之間的清晰的、明確的、原子排列有序的、并具有II型能帶對齊的晶相異質(zhì)結，為研究Ga2O3/Ga2O3晶相異質(zhì)結提供了新的見(jiàn)解，并證明利用晶相異質(zhì)結可以極
- 關(guān)鍵字： 超寬禁帶 氧化鎵 晶相異質(zhì)結
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超寬禁帶介紹
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