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氧化鎵
氧化鎵 文章 進(jìn)入氧化鎵技術(shù)社區
中國科研團隊第四代半導體氧化鎵領(lǐng)域獲重要突破
- 近日，廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院楊偉鋒教授團隊在第四代半導體氧化鎵（β-Ga2O3）外延生長(cháng)技術(shù)和日盲光電探測器制備方面取得重要進(jìn)展，為β-Ga2O3異質(zhì)外延薄膜的大面積生長(cháng)和高性能的器件應用提供了重要支持。β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，簡(jiǎn)單二元組成，帶隙可調，制備工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)勢在日盲光電探測器領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。在β-Ga2O3薄膜生長(cháng)方面，研究團隊利用分子束外延技術(shù)（MBE）實(shí)現了高質(zhì)量、低缺陷密度的外延薄膜生長(cháng)。并通過(guò)改變反應物前驅體和精密控制生長(cháng)參數，成功實(shí)現了β-Ga2O3
- 關(guān)鍵字： 第四代半導體 氧化鎵 科研
三菱電機投資氧化鎵功率半導體
- 3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續發(fā)展倡議在線(xiàn)會(huì )議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導體的氧化鎵（Ga2O3）進(jìn)行投資研發(fā)。與主要用于電動(dòng)汽車(chē)（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導體相比，三菱電機稱(chēng)這一布局是“為擴大更高電壓的市場(chǎng)”。三菱電機表示，2024年~2030年，公司將投入約9000億日元（折合人民幣約430億元）用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導體、材料和產(chǎn)品的回收利用、可再生能源等綠色領(lǐng)域的研發(fā)。據了解，2023年7月，該公司宣布已投資Novel Crystal Technology（N
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 氧化鎵
碳化硅風(fēng)頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發(fā)
- 近期，媒體報道進(jìn)化半導體完成近億元人民幣融資。據悉，進(jìn)化半導體是以國際首創(chuàng )無(wú)銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業(yè)，創(chuàng )立于2021年5月，專(zhuān)注于以創(chuàng )新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵仁半導體宣布完成數千萬(wàn)天使輪融資。該公司是一家專(zhuān)注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的科技型企業(yè)。為滿(mǎn)足日益增長(cháng)的多元需求，半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 氧化鎵
中國科大在氧化鎵半導體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
- IT之家 12 月 12 日消息，據中國科大發(fā)布，第 68 屆 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 國際電子器件大會(huì )) 近期在美國舊金山召開(kāi)。IEEE IEDM 是年度微電子和納電子學(xué)術(shù)會(huì )議，是報告半導體和電子器件技術(shù)、設計、制造、物理和建模等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級論壇，其與 ISSCC、VLSI 并稱(chēng)為集成電路和半導體領(lǐng)域的“奧林匹克盛會(huì )”。中國科大國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧
- 關(guān)鍵字： 氧化鎵 光電探測器 肖特基二極管
電子產(chǎn)業(yè)未來(lái)的材料——氧化鎵（Ga2O3）
- 可以說(shuō)，人類(lèi)在20世界下半葉開(kāi)始，絕大部分的科技成果都建立在電子計算機之上，而半導體材料，就是各類(lèi)現代信息技術(shù)的基石。自上世紀50年代，以硅和鍺為代表的第一代半導體材料為人類(lèi)信息技術(shù)的高速發(fā)展走出了第一步；時(shí)間來(lái)到20世紀90年代，第二代半導體橫空出世，以砷化鎵、磷化銦為代表的材料為人類(lèi)在無(wú)線(xiàn)電通訊、微波雷達及紅光 LED方面起到了舉足輕重的作用；而近十年來(lái)，也被稱(chēng)為寬禁帶半導體材料的氮化鎵和碳化硅、氧化鋅等第三代半導體，直接推動(dòng)了功率器件、短波長(cháng)光電器件、光顯示、光存儲、 光探測、透明導電等領(lǐng)域的高速發(fā)
- 關(guān)鍵字： 氧化鎵 半導體 新材料
第四代半導體材料呼之欲出 —— 氧化鎵或將站上C位
- 一般來(lái)說(shuō)，半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業(yè)的基礎。迄今為止，半導體材料主要分為：基于Ⅳ族硅Si、鍺Ge元素的第一代半導體；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化鎵、磷化銦的第二代半導體以及基于Ⅲ-Ⅴ族氮化鎵、Ⅳ族碳化硅的第三代半導體等。過(guò)去一年里，我們看到隨著(zhù)市場(chǎng)對半導體性能的要求不斷提高，及各種利好政策相繼出臺，第三代半導體等新型化合物材料憑借其性能優(yōu)勢嶄露頭角，迎來(lái)了產(chǎn)業(yè)爆發(fā)風(fēng)口。在第三代半導體萬(wàn)眾矚目的時(shí)刻，?第四代半導體也正逐漸進(jìn)入我們的視線(xiàn)?。半導體材料的發(fā)展之路· 第
- 關(guān)鍵字： 第四代半導體材料 氧化鎵
功率半導體氧化鎵到底是什么
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來(lái)越高，它們在未來(lái)的大功率、高溫、高壓應用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統的硅器件無(wú)法實(shí)現的作用。特別是在未來(lái)三大新興應用領(lǐng)域(汽車(chē)、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車(chē)方面，會(huì )有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢?，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)?！ ?shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 氧化鎵
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氧化鎵介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條氧化鎵!
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