泰克與遠山半導體合作再結碩果，共推1700V GaN器件邁向新高度

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近日，泰克科技與遠山半導體的合作迎來(lái)又一重要里程碑，雙方攜手對遠山半導體最新推出的1700V GaN器件進(jìn)行了深入測試與評估，成果斐然，為該器件在高端應用市場(chǎng)的拓展注入強勁動(dòng)力。

此前，遠山半導體憑借其在高壓GaN器件領(lǐng)域的持續創(chuàng )新，已成功推出多款產(chǎn)品，并逐步將額定電壓提升至1700V，這一電壓等級的突破，相較于1200V器件實(shí)現了顯著(zhù)性能飛躍。為攻克GaN器件常見(jiàn)的電流崩塌難題，遠山半導體采用了獨具匠心的極化超級結（PSJ）技術(shù)，并對生產(chǎn)工藝進(jìn)行了深度優(yōu)化，使得器件不僅額定工作電壓大幅提升至1700V，工作電流也達到了30A，為高功率應用場(chǎng)景提供了更為強勁的“芯”動(dòng)力。

在此次合作測試中，泰克科技憑借其先進(jìn)的測試設備與專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團隊，對遠山半導體提供的1700V/100mΩ規格GaN樣品進(jìn)行了全方位、多維度的性能檢測。靜態(tài)測試結果顯示，該器件在1700V電壓下反偏漏電流Idss僅為4.48uA（Vgs = -8V），且在10uA漏電流條件下，Vds電壓成功突破1750V，擊穿電壓表現卓越，為器件的高可靠性運行奠定了堅實(shí)基礎。

同時(shí)，作為常開(kāi)型器件，其閾值電壓測試精準可靠，當Vds = 10V，Id = 1mA時(shí)，實(shí)測閾值電壓Vth穩定在-4.1V，確保了器件在不同工作條件下的精準控制。在導通狀態(tài)下，測試條件為Vgs = +3V，Id = 20A，電流脈寬300uS時(shí)，四線(xiàn)模式下實(shí)測導通電阻僅為107mΩ，遠低于行業(yè)同類(lèi)產(chǎn)品，展現出出色的導電性能。

動(dòng)態(tài)特性測試更是亮點(diǎn)紛呈。由于泰克科技目前的GaN測試電路最大測試電壓為1000V，為確保測試安全，雙方在900V電壓條件下對該器件進(jìn)行了雙脈沖測試。測試條件為：Vds = 900V，Rgon = Rgoff = 2Ω，Vgson = 3V, Vgsoff = -8V, Id = 20A，負載電感L = 200uH。

測試波形清晰顯示，在900V高壓條件下，Vds波形在兩次導通階段內保持穩定低電壓，幾乎接近0V，充分證明了器件在高壓硬開(kāi)關(guān)操作下未出現電流崩塌現象，其動(dòng)態(tài)性能卓越，可靠性極高。

為進(jìn)一步精準測量功率器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的動(dòng)態(tài)導通電阻值，泰克科技運用鉗位探頭對器件進(jìn)行深入測量。鉗位探頭可有效過(guò)濾信號高壓部分，以較小量程精準測量低壓部分，尤其適用于快速開(kāi)關(guān)條件下，準確測量導通條件下的器件兩端電壓降。通過(guò)電壓鉗位探頭測量得到的鉗位電壓Vds-clamp，結合導通電流Id，依據歐姆定律計算得出動(dòng)態(tài)導通電阻D-Rdson。

測試數據表明，在不同電壓條件下，器件的歸一化動(dòng)態(tài)電阻隨測試電壓升高增加比例較小，300V、600V、900V時(shí)分別為1、1.07、1.18，彰顯了器件在高壓開(kāi)關(guān)條件下穩定的工作狀態(tài)，其性能表現遠超預期。

此次測試結果充分展現了遠山半導體1700V GaN器件的卓越性能，其各項指標不僅刷新了市場(chǎng)對GaN器件的認知，更是快速逼近甚至在部分性能指標上超越了主流SiC功率器件。未來(lái)，隨著(zhù)GaN器件在長(cháng)期工作可靠性及成本優(yōu)勢方面的進(jìn)一步凸顯，有望在工業(yè)領(lǐng)域大放異彩，逐步實(shí)現對SiC功率器件的替代，開(kāi)啟功率器件市場(chǎng)的新篇章。

泰克科技與遠山半導體的緊密合作，再次為半導體行業(yè)樹(shù)立了產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同創(chuàng )新的典范。雙方將繼續攜手共進(jìn)，不斷探索與突破，推動(dòng)GaN器件技術(shù)的持續進(jìn)步，為全球電子產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展貢獻更多力量。