村田中國首次亮相ICCAD 2024，以高性能集成元件共筑AI未來(lái)

上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨中國集成電路設計業(yè)展覽會(huì )（以下簡(jiǎn)稱(chēng)ICCAD 2024）將于2024年12月11-12日在上海世博展覽館隆重召開(kāi)。全球領(lǐng)先的綜合電子元器件制造商村田中國（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“村田”）攜包括集成元器件在內的各類(lèi)小型化高品質(zhì)產(chǎn)品首次亮相大會(huì )。以“創(chuàng )新集成，助力智造新發(fā)展”為主題，圍繞高性能AI的未來(lái)發(fā)展，村田將在活動(dòng)現場(chǎng)同行業(yè)伙伴共話(huà)行業(yè)熱點(diǎn)與趨勢?，F場(chǎng)村田工程師還將帶來(lái)主題演講，從全方位展示其秉持匠心精神，致力賦能行業(yè)加速創(chuàng )新發(fā)展的不懈努力。

隨著(zhù)高性能AI行業(yè)的迅猛發(fā)展與應用場(chǎng)景的不斷拓展，AI算力需求的增長(cháng)帶來(lái)了更多挑戰的同時(shí)，也為集成電路設備市場(chǎng)帶來(lái)了廣闊的發(fā)展空間。在此背景下，集成電路產(chǎn)業(yè)作為信息技術(shù)的核心，需要邁向更小尺寸且兼具更高性能的方向，助力行業(yè)突破算力“天花板”。

作為“電子元器件的創(chuàng )新者”，村田帶來(lái)小尺寸、高品質(zhì)的元件產(chǎn)品和多款高性能的功能元件、模塊及集成解決方案等，助力集成電路器件尺寸微型化的同時(shí)實(shí)現高效性能表現，滿(mǎn)足AI算力的持續發(fā)展需求。

●   集成封裝解決方案：利用村田的獨特技術(shù)，結合聚合物電容與多層基板技術(shù)生產(chǎn)工藝所研發(fā)的新產(chǎn)品，容值密度在2.3~3.0uF.mm2之間，厚度約為300-350um。獨特的通孔設計可實(shí)現芯片或電源模塊的垂直供電，幫助客戶(hù)可以獲得更多空間;優(yōu)異的直流偏置及溫漂表現，具有體積小巧高穩定性的特征?？捎糜诜?wù)器、GPU以及AI計算卡（AI Computing card）等應用。

●   無(wú)線(xiàn)通信模塊：村田的無(wú)線(xiàn)通信模塊種類(lèi)豐富，經(jīng)過(guò)大量 MPU/MCU（NXP、NVIDIA、STMicro 等）驗證，減少了用戶(hù)系統鏈接的工作量，簡(jiǎn)化無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)和認證流程。

可用于支持物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、智能應用和M2M通信，適用各種外形結構，天線(xiàn)配置和電源，以滿(mǎn)足各種消費類(lèi)，商業(yè)或工業(yè)需求。

●   超低ESL硅電容：適用于A(yíng)I服務(wù)器HPC和手機，尤其是用于先進(jìn)深度學(xué)習的加速發(fā)展高規格GPU中，非常適用于封裝內去除高頻反諧振點(diǎn)的去耦和PDN設計優(yōu)化。超低 ESL , ESR 和大容值降低PDN 在高頻下的阻抗，支持多電源域的去耦，3D結構實(shí)現電容分布的靈活性。目前已成功地應用在一些旗艦機的APU中以及HPC的部分PDN設計參考中。

現場(chǎng)，村田還將展出多款能為IC帶來(lái)穩定高效表現的陶瓷電容、 MEMS無(wú)源時(shí)鐘等創(chuàng )新產(chǎn)品和解決方案。此外，對于當前EDA設計中測試驗證環(huán)節所面臨的挑戰，村田深刻理解并開(kāi)發(fā)了面向多應用的設計輔助工具以及器件動(dòng)靜態(tài)模型等，能夠進(jìn)一步簡(jiǎn)化設計流程，加速電路設計和仿真，顯著(zhù)提升設計效率，為高性能AI應用的開(kāi)發(fā)和部署提供了強有力的技術(shù)支持。

村田中國產(chǎn)品技術(shù)專(zhuān)家陶佳偉先生將在12日下午的論壇中，就《低阻抗電容在封裝內高效電源分配網(wǎng)絡(luò )中的設計》進(jìn)行精彩分享。面向未來(lái)，村田將依托高度的市場(chǎng)敏銳，以前瞻性的視角，充分發(fā)揮創(chuàng )新優(yōu)勢，助力未來(lái)高性能AI發(fā)展，為行業(yè)提供更多小型化、高性能的元器件產(chǎn)品和解決方案。