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電隔離柵極驅動(dòng)器
電隔離柵極驅動(dòng)器 文章 進(jìn)入電隔離柵極驅動(dòng)器技術(shù)社區
意法半導體先進(jìn)的電隔離柵極驅動(dòng)器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
- 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅動(dòng)器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過(guò)采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調、工廠(chǎng)自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機驅動(dòng)裝置的可靠性。新驅動(dòng)器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 電隔離柵極驅動(dòng)器 IGBT SiC MOSFET
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電隔離柵極驅動(dòng)器介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條電隔離柵極驅動(dòng)器!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對電隔離柵極驅動(dòng)器的理解，并與今后在此搜索電隔離柵極驅動(dòng)器的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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