RK3588 VCC_DDR電源PCB設計

1、VCC_DDR覆銅寬度需滿(mǎn)足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠寬，路徑不能被過(guò)孔分割太嚴重，必須計算有效線(xiàn)寬，確認連接到CPU每個(gè)電源PIN腳的路徑都足夠。

2、VCC_DDR的電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過(guò)孔（9個(gè)以上0.5*0.3mm的過(guò)孔），降低換層過(guò)孔帶來(lái)的壓降；去耦電容的GND過(guò)孔要跟它的電源過(guò)孔數量保持一致，否則會(huì )大大降低電容作用。

3、如圖1所示，原理圖上靠近RK3588的VCC_DDR電源管腳的去耦電容務(wù)必放在對應的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，其余的去耦電容盡量靠近RK3588，如圖2所示。

4、RK3588 芯片 VCC_DDR 的電源管腳，每個(gè)管腳需要對應一個(gè)過(guò)孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如圖3所示，建議走線(xiàn)線(xiàn)寬 10mil。

圖1 RK3588芯片VCC_DDR的原理圖電源管腳去耦電容

圖2 電源管腳背面去耦電容放置

圖3 VCC_DDR&VDDQ_DDR電源管腳“井”字形鏈

當LPDDR4x 時(shí)，鏈接方式如圖4所示：

圖4 RK3588芯片LPDDR4x模式VCC_DDR/VCC0V6_DDR的電源管腳走線(xiàn)和過(guò)孔

5、VCC_DDR電源在CPU區域線(xiàn)寬不得小于120mil，外圍區域寬度不小于200mil，盡量采用覆銅方式，降低走線(xiàn)帶來(lái)壓降（其它信號換層過(guò)孔請不要隨意放置，必須規則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅，如圖5所示）。

圖5 RK3588 芯片 VCC_DDR&VDDQ_DDR 電源層覆銅情況