SK海力士“狂飆”，HBM是“救命良藥”

最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財報，2023 年第四季度實(shí)現扭虧為盈，當季營(yíng)業(yè)利潤 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營(yíng)業(yè)虧損 1.91 萬(wàn)億韓元。這意味著(zhù)，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來(lái)一直持續的營(yíng)業(yè)虧損情況。

相比之下，同為韓國半導體巨頭的三星，業(yè)績(jì)卻不盡如人意。數據顯示，三星電子去年銷(xiāo)售額為 258.16 萬(wàn)億韓元（1.4 萬(wàn)億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導體部門(mén)業(yè)績(jì)不佳影響，三星電子全年營(yíng)業(yè)利潤時(shí)隔 15 年再次跌至 10 萬(wàn)億韓元（544 億元人民幣）以下。

近一年來(lái)，SK 海力士的表現可謂可圈可點(diǎn)，僅用了一年時(shí)間結束虧損，SK 海力士靠的是什么「救命良方」？

SK 海力士的業(yè)績(jì)情況

財報來(lái)看，SK 海力士去年 Q4 營(yíng)收同比增長(cháng) 47% 至 11.31 萬(wàn)億韓元，高于分析師預期的 10.4 萬(wàn)億韓元。

運營(yíng)利潤 3460.3 億韓元，好于分析師預期的虧損 1699.1 億韓元，好于 Q3 的虧損 1.79 萬(wàn)億韓元；凈虧損 1.38 萬(wàn)億韓元，超過(guò)了分析師預期的虧損 0.41 萬(wàn)億韓元，但較前一季度虧損大幅縮窄。

另外，Q4 毛利潤為 2.23 億韓元，同比大增 9404%；毛利潤率為 20%，為連續第三個(gè)季度回升；EBITDA（稅息折舊及攤銷(xiāo)前利潤）為 3.58 億韓元，同比增長(cháng) 99%。

對于財務(wù)的增長(cháng)，SK 海力士解釋道，去年第四季度用于 AI 服務(wù)器和移動(dòng)端的產(chǎn)品需求增長(cháng)，平均售價(jià)（ASP，Average Selling Price）上升等存儲器市場(chǎng)環(huán)境有所改善。與此同時(shí)，公司持續實(shí)施以盈利為主的經(jīng)營(yíng)活動(dòng)發(fā)揮了效果，僅時(shí)隔一年實(shí)現了季度業(yè)績(jì)扭虧為盈。

從產(chǎn)品方面，SK 海力士表示，公司的主力產(chǎn)品 DDR5 DRAM 和 HBM3 的收入同比分別增長(cháng) 4 倍和 5 倍以上。

回顧 2023 全年的業(yè)績(jì)，SK 海力士前三季度營(yíng)收可以說(shuō)是一虧再虧。不過(guò)，虧損是在持續收斂的。

一季度財報顯示，公司收入為 5.0881 萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)虧損為 3.4023 萬(wàn)億韓元，凈虧損為 2.5855 萬(wàn)億韓元。2023 財年第一季度營(yíng)業(yè)虧損率為 67%，凈虧損率為 51%。

當時(shí)，SK 海力士表示：「第一季度存儲器半導體市場(chǎng)持續低迷，需求疲軟和產(chǎn)品價(jià)格不斷下跌導致公司本季度的營(yíng)業(yè)收入環(huán)比減少，營(yíng)業(yè)虧損加大。但預計以第一季度為低點(diǎn)，銷(xiāo)量逐漸遞增，第二季度業(yè)績(jì)將有所回升?！?/span>

在一季度，SK 海力士就決定加大對 DDR5 和 HBM 的投入。官方表示，決定注重于以 DDR5 服務(wù)器 DRAM 和 HBM 等高性能 DRAM、采用 176 層 NAND 的 SSD、uMCP 產(chǎn)品為中心的銷(xiāo)售，以此提升營(yíng)業(yè)收入。

到了二季度，SK 海力士的財報還是處于虧損。

第二季度收入為 7.3059 萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)虧損為 2.8821 萬(wàn)億韓元，凈虧損為 2.9879 萬(wàn)億韓元。2023 財年第二季度營(yíng)業(yè)虧損率為 39%，凈虧損率為 41%。但可以看到，相較于第一季度，虧損率有所收斂，從第一季度的 67% 下滑為第二季度的 39%。

對此，SK 海力士解釋道：「隨著(zhù)以 ChatGPT 為中心的生成式 AI 市場(chǎng)的擴大，面向 AI 服務(wù)器的存儲器需求劇增。因此 HBM3 和 DDR5 DRAM 等高端產(chǎn)品銷(xiāo)售增加，第二季度營(yíng)業(yè)收入比第一季度增加 44%，營(yíng)業(yè)虧損減少 15%?！?/span>

三季度財報顯示，公司的收入為 9.0662 萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)虧損為 1.7920 萬(wàn)億韓元，凈虧損為 2.1847 萬(wàn)億韓元。2023 財年第三季度營(yíng)業(yè)虧損率為 20%，凈虧損率為 24%。持續減少營(yíng)業(yè)損失規模。

可以看到，自從一季度開(kāi)始陷入虧損后，靠著(zhù) HBM 和 DDR5，SK 海力士持續向好。

誰(shuí)是「救命良藥」？

HBM 成為「印鈔機」

正如前文所述，HBM 是 SK 海力士業(yè)績(jì)大增的關(guān)鍵之一。

簡(jiǎn)單介紹一下 HBM。HBM 的全稱(chēng)是 High Bandwidth Memory，意為高帶寬存儲器，是一種面向需要極高吞吐量的數據密集型應用程序的 DRAM，HBM 的作用類(lèi)似于數據的「中轉站」，就是將使用的每一幀，每一幅圖像等圖像數據保存到幀緩存區中，等待 GPU 調用。

正如其名，HBM 與其他 DRAM 最大的差別就是擁有超高的帶寬。最新的 HBM3E，最高每秒可以處理 1.15TB（太字節）的數據。而最新的 GDDR6 的帶寬最高只有 96GB/s，CPU 和硬件處理單元的常用外掛存儲設備 DDR4 的帶寬更是只有 HBM 的 1/10?？梢哉f(shuō)，HBM 是當下數據處理速度最快的 DRAM 產(chǎn)品。

AI 服務(wù)器 GPU 市場(chǎng)以 NVIDIA H100、A100、A800 以及 AMD MI250、MI250X 系列為主，基本都配備了 HBM。HBM 成本在 AI 服務(wù)器成本中占比排名第三，約占 9%，單機 ASP（單機平均售價(jià)）高達 18,000 美元。

在 2013 年，SK 海力士與 AMD 合作開(kāi)發(fā)了世界上的第一個(gè) HBM。

與 SK 海力士率先入局有關(guān)，之后 SK 海力士在 HBM 的路上走得穩穩當當。2018 年 SK 海力士發(fā)布第二代 HBM 產(chǎn)品 HBM2；隨后 2020 年 SK 海力士發(fā)布第三代 HBM——HBM2E，作為 HBM2 的擴展版本，性能與容量進(jìn)一步提升；2021 年 10 月 SK 海力士成功開(kāi)發(fā)出第四代產(chǎn)品 HBM3，并于 2022 年 6 月開(kāi)始量產(chǎn)。2023 年，SK 海力士成功開(kāi)發(fā)出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產(chǎn)品 HBM3E。

可以說(shuō)從 HBM1、HBM2E、HBM3、HBM3E，SK 海力士持續領(lǐng)先。SK 海力士占據 HBM 市場(chǎng) 50% 的份額，三星占比 40%，美光占比 10%。

在很長(cháng)一段時(shí)間內，SK 海力士都是英偉達 HBM 的獨家供應商。2023 年 SK 海力士基本壟斷了 HBM3 供應，今年其 HBM3 與 HBM3E 的訂單也已售罄。作為英偉達高帶寬內存 (HBM）的主要供應商，SK 海力士過(guò)去一年股價(jià)飆升超過(guò) 50%，市值達到 97.27 萬(wàn)億韓元（約合 738.40 億美元）。

也正因此，SK 海力士首席執行官 Kwak Noh-Jung 才敢放出豪言：「市場(chǎng)上只有三家 HBM 供應商。我可以肯定地說(shuō)，SK 海力士在 HBM 領(lǐng)域是明確的領(lǐng)導者?！?/span>

分析師 Hwang Min-sung 指出：「從 2023 年第二季度和第四季度開(kāi)始，SK 海力士的 HBM 就與競爭對手形成顯著(zhù)差異化，第三季度和第四季度差距進(jìn)一步擴大。與通常的存儲器世代需要 1.5 到 2 年的時(shí)間過(guò)渡不同，HBM 只需 1 年的時(shí)間即可完成過(guò)渡，這為市場(chǎng)領(lǐng)導者 SK 海力士帶來(lái)了優(yōu)勢?！?/span>

憑借著(zhù) HBM，SK 海力士不僅僅是業(yè)績(jì)增長(cháng)，市場(chǎng)占有率也在迅速增長(cháng)。據 TrendForce 統計，SK 海力士第三季度以 49.6% 的市場(chǎng)份額穩居服務(wù)器 DRAM 市場(chǎng)第一，銷(xiāo)售額達 18.5 億美元，成功擠下三星電子。三星電子以 13.13 億美元的銷(xiāo)售額排名第二，占據 35.2% 的市場(chǎng)份額，第三名是美光，銷(xiāo)售額為 5.6 億美元，市場(chǎng)份額為 15.0%。

DDR5 成主流

成為 SK 海力士救命良藥的不只是 HBM，還有 DDR5。

根據 Yole Developpement 的報告顯示，從 DDR4 到 DDR5 內存過(guò)渡將會(huì )非常迅速。DDR5 內存大規模應用將在 2022 年從服務(wù)器和企業(yè)市場(chǎng)開(kāi)始，到 2023 年，消費級的主流市場(chǎng)將廣泛采用 DDR5 內存，無(wú)論是臺式電腦、筆記本電腦還是手機，都會(huì )充分利用新一代內存技術(shù)。

得益于服務(wù)器市場(chǎng)，2022 年 DDR5 內存的使用率將增加 25%，到了 2023 年，DDR5 內存的市場(chǎng)份額會(huì )超過(guò) 50%。2024 年至 2026 年，隨著(zhù) DDR5 內存全面被各個(gè)市場(chǎng)采用，DDR4 內存的市場(chǎng)份額將僅有 5%。

但是，對于 DDR5，雖然 SK 海力士是唯一一家全面生產(chǎn) 128GB 芯片的公司，三星剛剛開(kāi)始生產(chǎn)，美光則在去年 11 月才姍姍推出了 128GB DDR5。

業(yè)界相關(guān)人士分析道，SK 海力士 1a（第四代 10nm，屬于 14nm 級）DDR5 DRAM 產(chǎn)品良率高達 90%，遠高于競爭對手。一位熟悉 SK 海力士的人士表示，「以 1a 標準，SK 海力士的良率已經(jīng)達到了黃金良率?！?/span>

因此，在圍繞服務(wù)器用 128GB DDR5 等高容量產(chǎn)品的市場(chǎng)中，早期 SK 海力士在這一領(lǐng)域中供應了 100% 的市場(chǎng)量。

搶占 HBM 先機

目前 HBM 已經(jīng)演變到了第五代，甚至第六代 HBM4 技術(shù)也初露頭角，但時(shí)至今日，HBM3e（第五代）仍舊沒(méi)有完全應用于產(chǎn)品當中。

既然 HBM 如此火熱，SK 海力士也想牢牢抓在手里。

在這一背景下，SK 海力士計劃在 2024 年增加資本支出，并將生產(chǎn)重心放在 HBM 等高端存儲產(chǎn)品上。之前公司曾預計，到 2030 年其 HBM 出貨量將達到每年 1 億顆；并決定在 2024 年預留約 10 萬(wàn)億韓元（約合 76 億美元）的設施資本支出——相較 2023 年 6 萬(wàn)億-7 萬(wàn)億韓元的預計設施投資，增幅高達 43%-67%。

不止 SK 海力士，HBM 的大蛋糕，存儲廠(chǎng)商都看著(zhù)眼熱。

三星對 HBM 的布局從 HBM2 開(kāi)始，目前，三星已經(jīng)向客戶(hù)提供了 HBM2 和 HBM2E 產(chǎn)品。2016 年三星量產(chǎn) HBM2；2020 年三星推出了 HBM2；2021 年 2 月，三星推出了 HBM-PIM（存算一體），將內存半導體和 AI 處理器合二為一；2022 年三星表示 HBM3 已量產(chǎn)。

韓國日報稱(chēng)，三星電子打破了 SK 海力士為英偉達獨家供應 HBM 3 的局面，該公司計劃從明年 1 月開(kāi)始向英偉達提供 HBM3。此前，三星電子已成功向美國 AMD 供應 HBM3 內存。

美光這邊，為了改善自己在 HBM 市場(chǎng)中的被動(dòng)地位，美光選擇了直接跳過(guò)第四代 HBM 即 HBM3，直接升級到了第五代。

2023 年 9 月，美光宣布推出 HBM3 Gen2（即 HBM3E），后續表示計劃于 2024 年初開(kāi)始大批量發(fā)貨 HBM3 Gen2 內存，同時(shí)透露英偉達是主要客戶(hù)之一。美光總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra 也在公司財報電話(huà)會(huì )議里表示：「我們的 HBM3 Gen2 產(chǎn)品系列的推出引起了客戶(hù)的濃厚興趣和熱情?！?/span>

最新消息顯示，英偉達正在規劃加入更多的 HBM 供應商，以完善和健全其供應鏈管理。除了 HBM3 和 HBM3e 以外，HBM4 預計將在 2026 年推出。目前，英偉達和其他 CSP（云端業(yè)者）在未來(lái)的產(chǎn)品應用上，規格和效能都將得到優(yōu)化。

HBM4 在堆棧的層數上，除了現有的 12hi（12 層）外，還將再往 16hi（16 層）發(fā)展，更高層數預計將帶動(dòng)新堆棧方式的需求增長(cháng)。機構預測，HBM4 12hi 產(chǎn)品將在 2026 年推出，16hi 產(chǎn)品則有望在 2027 年問(wèn)世。

HBM 的戰斗，還在繼續。

結語(yǔ)

無(wú)論是第五代 10nm 級 DRAM 技術(shù)，還是 HBM 等新技術(shù)，存儲大廠(chǎng)都在持續發(fā)力。展望未來(lái)，隨著(zhù) 5G、人工智能、云計算等技術(shù)的快速發(fā)展，高性能內存需求將持續增長(cháng)。

總的來(lái)說(shuō)，SK 海力士業(yè)績(jì)向好的背后，是其在 HBM 和 DDR5 領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)和市場(chǎng)布局。SK 海力士業(yè)績(jì)向好，也再次體現出創(chuàng )新技術(shù)對于半導體廠(chǎng)商的重要性。市場(chǎng)總是不會(huì )虧待有創(chuàng )新力的企業(yè)。然而，要想保持這一優(yōu)勢并持續增長(cháng)，SK 海力士還需不斷創(chuàng )新和適應市場(chǎng)的變化。

在市場(chǎng)回春后，新存儲的技術(shù)之戰，會(huì )愈演愈烈。