橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：導通時(shí)

在功率開(kāi)關(guān)器件最常見(jiàn)的應用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結構。對于橋式結構情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”和這篇文章所依據的應用指南“橋式結構中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動(dòng)作情況。

●   具有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。

●   要想正確實(shí)施SiC MOSFET柵-源電壓的浪涌對策，需要逐一了解SiC MOSFET電壓的行為。

但是，具有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，柵-源電壓的行為不同，要想正確實(shí)施柵-源電壓的浪涌對策，需要了解電壓的行為。

從本文開(kāi)始，將針對具有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝SiC MOSFET在橋式結構情況下的柵-源電壓的行為，分LS側（低邊）MOSFET導通時(shí)和關(guān)斷時(shí)兩種情況用2個(gè)篇幅分別進(jìn)行介紹。

橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：導通時(shí)

下面將圍繞與沒(méi)有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝MOSFET之間的不同點(diǎn)，對橋式結構中LS側（低邊）的MOSFET導通時(shí)的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。

下圖為導通時(shí)的各開(kāi)關(guān)波形，左側為不帶驅動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品，右側為帶驅動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝產(chǎn)品。各橫軸表示時(shí)間，時(shí)間范圍Tk（k＝7、8、1-3）的定義在波形圖下方有述。右下方的電路圖中給出了TO-247-4L封裝產(chǎn)品在橋式電路中的柵極引腳電流情況。在波形圖和電路圖中，用（I）～（III）來(lái)表示每個(gè)時(shí)間范圍中發(fā)生的事件。事件（III）在T2期間結束后立即發(fā)生。

TO-247N封裝產(chǎn)品

沒(méi)有驅動(dòng)器源極引腳

TO-247-4L封裝產(chǎn)品

有驅動(dòng)器源極引腳

在橋式結構中LS側SiC MOSFET導通時(shí)的各開(kāi)關(guān)波形

＜時(shí)間范圍Tk的定義＞

TO-247-4L：LS導通時(shí)的柵極引腳電流

T7：HS為導通期間（同步整流期間）

T8：HS關(guān)斷、LS導通之前的死區時(shí)間

T1：LS導通、MOSFET電流變化期間【事件（I）同時(shí)發(fā)生】

T2：LS導通、MOSFET電壓變化期間【事件（II）同時(shí)發(fā)生】

T3：LS導通期間

在波形圖比較中，TO-247-4L的事件（I）與TO-247N的事件（I）明顯不同，在非開(kāi)關(guān)側（HS）的VGS觀(guān)察到正浪涌（TO-247N為負浪涌）。這是由柵極引腳電流圖中（I）的電流ICGD引起的（HS側，綠線(xiàn)）。該電流會(huì )流過(guò)柵-漏電容CGD。

之所以會(huì )流過(guò)該電流，是因為在開(kāi)關(guān)工作之前，換流電流ID_HS在HS側SiC MOSFET的體二極管中從源極流向漏極，但是當之后的開(kāi)關(guān)動(dòng)作開(kāi)始時(shí)，開(kāi)關(guān)側（LS ）的電流ID_LS首先逐漸增加，因此ID_HS逐漸減少。另一方面，SiC MOSFET的體二極管的正向電壓VF_HS（TO-247-4L波形圖的虛線(xiàn)圓圈部分）具有較大的電流依賴(lài)性，所以，隨著(zhù)開(kāi)關(guān)速度的增加，dID_HS/dt會(huì )增大，dVF_HS/dt會(huì )增大，dVF_HS/dt最終也是換流側SiC MOSFET的dVDS_HS/dt，因此ICGD從漏極引腳通過(guò)CGD流向柵極引腳，導致柵-源電壓升高。在以往的TO-247N封裝中，ID_LS的變化緩慢，可以認為事件（I）的ICGD幾乎未流動(dòng)。

關(guān)于TO-247N導通動(dòng)作的詳細介紹，請參考本文開(kāi)頭提到的Tech Web SiC功率元器件基礎知識中的文章“低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作”或應用指南中的“導通時(shí)柵極信號的動(dòng)作”。

TO-247-4和TO-247-4L導通時(shí)的VDS波形比較

上方所示的VDS波形是TO-247N和TO-247-4L的比較圖。從圖中可以看出，關(guān)于換流側SiC MOSFET的VDS_HS，在開(kāi)關(guān)動(dòng)作開(kāi)始后TO-247-4L的VDS_HS立即急劇上升。正如上一篇文章中所述，這是由于具有驅動(dòng)器源極引腳而帶來(lái)的提速效果。

另外，由于事件（II）也已處于高速狀態(tài)，前面的電路圖中所示的從HS側流向LS側、向HS側CDS充電的電流也變得很大，所以不僅是開(kāi)關(guān)側，有時(shí)候非開(kāi)關(guān)側也需要針對漏極-源極間的浪涌采取對策。

下面是TO-247-4L的VGS波形。該波形圖對是否采取了浪涌對策的結果進(jìn)行了比較。從圖中可以看出，在沒(méi)有采取浪涌對策（Non-Protected）的情況下，發(fā)生了前述的浪涌。而實(shí)施了浪涌對策（Protected）后，很好地抑制了VGS浪涌。

TO-247-4L導通時(shí)的 VGS波形（有無(wú)對策）

為了抑制這些浪涌，必須了解前述的柵-源電壓的行為，并在緊挨SiC MOSFET連接浪涌抑制電路作為對策。

如果希望了解更詳細的信息，請參考應用指南中的“柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”或Tech Web基礎知識SiC功率元器件“SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”（連載中）。

在下一篇文章中，我們將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)SiC MOSFET柵-源電壓的行為。