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柵極 文章 進(jìn)入柵極技術(shù)社區
干貨碼住丨深度剖析IGBT柵極驅動(dòng)注意事項
- IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅動(dòng)而言，該器件的行為類(lèi)似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路一?了解基本驅動(dòng)器圖 2. IGBT的導通電流了快速導通和關(guān)斷 BJT，必須在每個(gè)方向上硬驅動(dòng)柵極電流，以將載流子移入和移出基極區。當 MOSFET 的柵極被驅動(dòng)
- 關(guān)鍵字： IGBT 柵極 驅動(dòng)
柵極長(cháng)度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應具有魯棒性
- 當今行業(yè)中發(fā)現的大多數 FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現的電子特性。根據摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設備保持強靜電。過(guò)渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問(wèn)題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實(shí)現激進(jìn)的溝道長(cháng)度縮放。自從在現代電子產(chǎn)品中引入場(chǎng)效應晶體管 (FET) 以來(lái)，理論和應用電路技術(shù)已經(jīng)取得了多項改進(jìn)。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
- 關(guān)鍵字： 柵極 FET
橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
- 具有驅動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結構情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導通時(shí)的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)1 具有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。2 要想正確實(shí)施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對
- 關(guān)鍵字： ROHM 橋式結構 柵極
橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：導通時(shí)
- 在功率開(kāi)關(guān)器件最常見(jiàn)的應用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結構。對于橋式結構情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”和這篇文章所依據的應用指南“橋式結構中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動(dòng)作情況?！?nbsp; 具有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MO
- 關(guān)鍵字： 羅姆 柵極，橋式結構
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柵極介紹
由金屬細絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中最靠近陰極的一個(gè)電極，具有細絲網(wǎng)或螺旋線(xiàn)的形狀，插在電子管另外兩個(gè)電極之間,起控制板極電流強度、改變電子管性能的作用。
在場(chǎng)效應管中,柵極是由英文gate electrode翻譯而來(lái)的.位置類(lèi)似于晶體三極管中的Gate. [ 查看詳細 ]
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