EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
橋式結構
橋式結構 文章 進(jìn)入橋式結構技術(shù)社區
橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
- 具有驅動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結構情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導通時(shí)的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)1 具有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。2 要想正確實(shí)施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對
- 關(guān)鍵字： ROHM 橋式結構 柵極
橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：導通時(shí)
- 在功率開(kāi)關(guān)器件最常見(jiàn)的應用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結構。對于橋式結構情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”和這篇文章所依據的應用指南“橋式結構中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動(dòng)作情況?！?nbsp; 具有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MO
- 關(guān)鍵字： 羅姆 柵極，橋式結構
| 共2條 1/1 1 |
橋式結構介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條橋式結構!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對橋式結構的理解，并與今后在此搜索橋式結構的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對橋式結構的理解，并與今后在此搜索橋式結構的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473