聯(lián)發(fā)科強化招募實(shí)力 連手全美頂大設半導體中心

聯(lián)發(fā)科宣布與美國普渡大學(xué)合作，在印第安納州西拉法葉（West Lafayette）成立半導體芯片設計中心，并初步計劃朝芯片設計學(xué)位課程、下世代運算和通訊芯片設計等方向展開(kāi)先進(jìn)前瞻技術(shù)的研究合作，成功擴大聯(lián)發(fā)科在美國招募人才實(shí)力。

聯(lián)發(fā)科表示，在印第安納州州長(cháng)及普渡大學(xué)校長(cháng)雙雙支持下，該校工程學(xué)院與印第安納州經(jīng)濟發(fā)展廳（Indiana Economic Development Corporation，IEDC）促成了在校地上設置聯(lián)發(fā)科技設計中心的合作創(chuàng )舉。普渡大學(xué)John A. Edwardson工程學(xué)院院長(cháng)暨下任校長(cháng)蔣蒙表示，此次投資為普渡大學(xué)的學(xué)生創(chuàng )造寶貴機會(huì )，就近與世界頂尖的芯片設計人才互動(dòng)交流。

據了解，普渡大學(xué)主要以工程教育聞名，校內擁有最先進(jìn)的半導體芯片設施，以大學(xué)部來(lái)說(shuō)，普渡大學(xué)工程學(xué)院是全美前十大工程學(xué)院之一，且在2022年成功蟬聯(lián)全美工程學(xué)院前四強。