1700V IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用驅動(dòng)電源R3系列

一、產(chǎn)品介紹

隨著(zhù)新能源汽車(chē)和光伏行業(yè)不斷發(fā)展，半導體器件的應用不斷擴寬，IGBT/SiC MOSFET作為充電樁設備、光伏SVG系統中的關(guān)鍵半導體器件組成部分，市場(chǎng)對其應用條件和性能提出了更高的要求，隨之也帶來(lái)了對驅動(dòng)方案的高要求。

金升陽(yáng)基于自主電路平臺、IC平臺、工藝平臺，升級開(kāi)發(fā)IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用第三代驅動(dòng)電源QA-R3/QA_C-R3系列產(chǎn)品。同時(shí)為滿(mǎn)足更加嚴苛的應用需求，打造了全新的爬電距離滿(mǎn)足1700V系統電源應用的驅動(dòng)電源QA_H-R3/QA_HC-R3系列產(chǎn)品，以期為客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案。

二、產(chǎn)品優(yōu)勢

●   5000VAC高可靠隔離電壓,滿(mǎn)足加強絕緣

R3系列驅動(dòng)電源產(chǎn)品基于自主IC設計平臺，隔離電壓高達5000VAC，遠優(yōu)于市場(chǎng)上常規產(chǎn)品（3750VAC），且滿(mǎn)足加強絕緣設計要求，整體可靠性得到極大提升。

●    滿(mǎn)足1700VDC長(cháng)期絕緣要求（使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）

作為現階段主流的半導體器件，市面上IGBT/SiC MOSFET多為中低壓應用，應用電壓為650V/900V/1200V/1700V；R3系列驅動(dòng)電源基于IEC-61800-5-1標準要求，實(shí)現長(cháng)期絕緣電壓（持續放電）滿(mǎn)足1700V，應用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；其中QA_H-R3/QA_HC-R3更是滿(mǎn)足了爬電距離>14.14mm。

●    多項性能指標提升

R3系列驅動(dòng)電源相較于R1系列產(chǎn)品，整體性能也進(jìn)行了優(yōu)化提升

<1>效率提升：80%→87%

<2>紋波下降：75mVpp→50mVpp

<3>強帶載能力：220uF→2200uF

<4>靜電性能提升：±6kV→±8kV 

<5>隔離電容降低：6.6pF→3.5pF

三、產(chǎn)品應用

作為IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用驅動(dòng)電源，在產(chǎn)品應用上與IGBT/SiC MOSFET應用重合，可用于光伏逆變器、電機驅動(dòng)、充電樁等多種場(chǎng)合中IGBT/SiC MOSFET器件的驅動(dòng)；已光伏SVG系統為例，可配合驅動(dòng)芯片來(lái)共同驅動(dòng)后端的IGBT期間，實(shí)現系統的有效運行。

四、產(chǎn)品特點(diǎn)

●   隔離電壓5000VAC（滿(mǎn)足加強絕緣）

●   長(cháng)期絕緣：1700VDC

●   效率高達87%

●   超小型SIP封裝

●   最大容性負載2200uF

●   超小隔離電容3.5pF(typ.)

●   工作溫度范圍：-40℃ to +105℃

五、產(chǎn)品布局