力科發(fā)布更精確的寬禁帶半導體分析測量系統

力科近日宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件，與高精度示波器 (HDO) 結合使用時(shí)，可提供最準確的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半導體器件的電氣特性表征。

三十多年來(lái)，工程師們一直在使用硅 (Si) 金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 功率半導體器件來(lái)生產(chǎn)電源和功率轉換系統。然而，消費者需要體積更小、重量更輕的電源和系統，而政府要求更高的效率。寬禁帶 (WBG) 材料，例如GaN 和 SiC，開(kāi)關(guān)速度比 Si 快十倍以上，并且在提高效率的同時(shí)減小了尺寸和重量。工程師采用寬禁帶半導體設計系統時(shí)，需要更大的測量帶寬，以對半導體器件進(jìn)行更準確和詳細的分析。

力科新型DL-ISO高壓光隔離探頭為設計工程師提供了最可靠的 GaN 和SiC 功率半導體器件測量。新探頭配合力科業(yè)界領(lǐng)先的12 位分辨率HDO示波器具有最佳的信號保真度、最低的過(guò)沖和最佳的準確度1.5%，幾乎是競爭對手的兩倍。

1 GHz 帶寬滿(mǎn)足測量 GaN 器件1 ns 上升時(shí)間的要求。 HDO示波器還在12 位分辨率下提供高達20 GS/s 的采樣率，以捕獲和顯示最真實(shí)的高速 GaN 和 SiC 器件信號。這種最佳信號保真度、低過(guò)沖、高精度、高帶寬和高采樣率的組合對于在新設計中成功實(shí)施 GaN 和SiC 技術(shù)至關(guān)重要。

力科新的功率器件軟件包自動(dòng)執行JEDEC開(kāi)關(guān)損耗和其他測量，以顏色編碼突出顯示相關(guān)的測量區域，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了 GaN 和SiC 器件的分析。