EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
寬禁帶半導體
寬禁帶半導體 文章 進(jìn)入寬禁帶半導體技術(shù)社區
什么是寬禁帶半導體？
- 禁帶寬度和電場(chǎng)強度越高，器件越不容易被擊穿，耐壓可以更高；熱導率和熔點(diǎn)越高，器件越容易散熱，也更容易耐高溫；電子遷移率越高，器件的開(kāi)關(guān)速度也就越快，因此可以做高頻器件。不難看出，SiC和GaN器件在高溫、高壓、高頻應用領(lǐng)域的顯著(zhù)優(yōu)勢。半導體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高
- 關(guān)鍵字： 寬禁帶半導體
力科發(fā)布更精確的寬禁帶半導體分析測量系統
- 力科近日宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件，與高精度示波器 (HDO) 結合使用時(shí)，可提供最準確的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半導體器件的電氣特性表征。三十多年來(lái)，工程師們一直在使用硅 (Si) 金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 功率半導體器件來(lái)生產(chǎn)電源和功率轉換系統。然而，消費者需要體積更小、重量更輕的電源和系統，而政府要求更高的效率。寬禁帶 (WBG) 材料，例如GaN 和 SiC，開(kāi)關(guān)速度比 Si
- 關(guān)鍵字： 力科 寬禁帶半導體
英飛凌將投資逾20億歐元擴大寬禁帶半導體產(chǎn)能
- 英飛凌將顯著(zhù)擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強其在功率半導體市場(chǎng)的領(lǐng)導地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來(lái)西亞居林工廠(chǎng)建造第三個(gè)廠(chǎng)區。建成之后，新廠(chǎng)區將用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵功率半導體產(chǎn)品，每年可為英飛凌創(chuàng )造20億歐元的收入。 此次擴建是英飛凌根據公司半導體生產(chǎn)制造長(cháng)期戰略而做出的決策，居林工廠(chǎng)在200毫米晶圓生產(chǎn)方面所取得的規模經(jīng)濟效應為該項目打下了良好的基礎。英飛凌位于菲拉赫和德累斯頓的300毫米晶圓廠(chǎng)奠定了公司在半導體市場(chǎng)的領(lǐng)導
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 寬禁帶半導體 產(chǎn)能
英諾賽科寬禁帶半導體項目完成主體施工
- 據看看新聞網(wǎng)報道，目前，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司項目主體施工已經(jīng)完成。資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設從器件設計，驅動(dòng)IC設計開(kāi)發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。據規劃，項目開(kāi)工后兩年內投產(chǎn)，投產(chǎn)后三年實(shí)現年產(chǎn)78萬(wàn)片功率控制電路及半導體電力電子器件的總目標，年銷(xiāo)售收入約
- 關(guān)鍵字： 英諾賽科 寬禁帶半導體
從1998年至2018年寬禁帶半導體材料研究報告
- 寬禁帶半導體材料也被稱(chēng)為第三代半導體材料(一代和二代分別為硅、鍺)，其帶隙大于或等于2.3 eV。寬禁帶半導體材料一般具有電子漂移飽和速度高、介電常數小、導電性能好等特點(diǎn)，受到了研究者廣泛研究。傳統的寬禁帶半導體有SiC、GaN、ZnO和Ga2O3等，以及其他II-VI組化合物材料。這類(lèi)寬禁帶材料具有短波吸收、高擊穿電壓等特點(diǎn)，因此在發(fā)光二極管(LEDs)與激光二極管(LDs)領(lǐng)域具有巨大的應用前景。此外，隨著(zhù)近些年太陽(yáng)能電池(SCs)的迅猛發(fā)展，寬禁帶半導體材料開(kāi)始在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。比如
- 關(guān)鍵字： 寬禁帶半導體
相控陣雷達性能的基石：寬禁帶半導體
- 現代電子產(chǎn)品的基礎是半導體器件，因此半導體器件的性能就決定了整個(gè)電子產(chǎn)品的性能，所謂半導體就是導電性能介于導體和絕緣體之間的物理器件。最開(kāi)始時(shí)，人們對這些物質(zhì)并不感興趣，后來(lái)才發(fā)現半導體的獨特性能，有導體和絕緣體不可替代的優(yōu)勢。最常見(jiàn)的半導體器件是二極管，其他所有的半導體器件都是建立在此基礎之上的?！ ≡咏Y構和半導體器件 導體之所以導電是因為其內部有容易活動(dòng)的自由電子，自由電子在電場(chǎng)的作用下開(kāi)始運動(dòng)，這個(gè)運動(dòng)就是電流。物質(zhì)都是由原子組成，每個(gè)原子都由原子核和繞在其外面的軌道的自由電子組成，一般從外
- 關(guān)鍵字： 相控陣雷達 寬禁帶半導體
電子行業(yè):寬禁帶半導體即將形成板塊效應
- 報告起因 國內上市公司紛紛涉足寬禁帶半導體,我們從三大維度看好:實(shí)現國家戰略層面的彎道超車(chē):半導體行業(yè)實(shí)現技術(shù)升級以及股票層面將形成板塊效應,我們此前的三安光電報告是市場(chǎng)第一篇詳細描述化合物半導體的深度報告。此行業(yè)報告也是市場(chǎng)上領(lǐng)先的深度梳理寬禁帶半導體行業(yè)的報告。 核心觀(guān)點(diǎn) 寬禁帶半導體材料性能突出,有望替代Si 基半導體:電和光的轉化性能突出,在微波信號傳輸方面的效率更高,可被廣泛應用到照明、顯示、通訊等各個(gè)領(lǐng)域。 碳化硅將在功率器件領(lǐng)域快速發(fā)展,市場(chǎng)空間上百億美元:1)S
- 關(guān)鍵字： 寬禁帶半導體
| 共8條 1/1 1 |
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473