PC與ADI攜手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC轉換器

EPC公司和ADI公司推出參考設計，采用全面優(yōu)化的新型模擬控制器來(lái)驅動(dòng)EPC的氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(GaN FET)。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN?FET相結合，可實(shí)現高達2 MHz的開(kāi)關(guān)頻率，從而實(shí)現高功率密度和低成本的DC/DC轉換。

宜普電源轉換公司（EPC）近日宣布推出EPC9160，這是一款雙輸出同步降壓轉換器參考設計，開(kāi)關(guān)頻率為2 MHz，可將9 V~24 V的輸入電壓轉換為3.3 V或5 V的輸出電壓，兩個(gè)輸出的連續電流可高達15 A。由于開(kāi)關(guān)頻率高，轉換器的尺寸非常小，兩個(gè)輸出都只有23 mm x 22 mm和電感器的厚度只有3 mm。

這個(gè)解決方案具有高功率密度、纖薄和開(kāi)關(guān)頻率為2 MHz，是車(chē)用控制臺應用和需要小型、纖薄方案的計算、工業(yè)、消費和電信電源系統的理想選擇。eGaN^?FET具備快速開(kāi)關(guān)、高效率和小尺寸等優(yōu)勢，可以滿(mǎn)足這些前沿應用對高功率密度的嚴格要求。

EPC9160參考設計采用了增強型GaN FET(EPC2055)和帶有GaN集成驅動(dòng)器的兩相模擬降壓控制器(LTC7890)。

●   100 V、具有低 Iq、雙路、兩相的同步降壓控制器（LTC7890）經(jīng)過(guò)全面優(yōu)化，可驅動(dòng) EPC eGaN FET，并集成了一個(gè)半橋驅動(dòng)器和智能自舉二極管。經(jīng)過(guò)優(yōu)化的死區時(shí)間或可編程死區時(shí)間接近零，開(kāi)關(guān)頻率最高可達3 MHz。5 uA的靜態(tài)電流（V_IN=48 V、V_OUT=5 V、僅CH1）可實(shí)現非常低的待機功耗和卓越的輕負載效率。

●   40 V 的eGaN FET (EPC2055)在超小尺寸(2.5 mm x 1.5 mm)內實(shí)現3 mOhm的最大導通電阻、6.6 nC QG、0.7 nC QGD、1.3 nC QOSS和零反向恢復（QRR），可提供高達29 A的連續電流和161 A的峰值電流。優(yōu)越的動(dòng)態(tài)參數可以在2 MHz開(kāi)關(guān)頻率下，實(shí)現非常小的開(kāi)關(guān)損耗。

EPC9160的效率在5 V輸出和24 V輸入時(shí)超過(guò)93%。除了輕載工作模式和可調死區時(shí)間外，該板還提供欠壓鎖定、過(guò)流保護和power good輸出。

宜普電源轉換公司首席執行官Alex Lidow表示："氮化鎵場(chǎng)效應晶體管具備超低開(kāi)關(guān)損耗的優(yōu)勢，使它能夠在2 MHz以上的頻率工作，并配以新型模擬控制器，讓客戶(hù)可實(shí)現2 MHz工作頻率以上的整個(gè)生態(tài)系統。我們很高興與ADI公司合作，將其先進(jìn)控制器的優(yōu)勢與EPC氮化鎵器件的卓越性能結合起來(lái)，為客戶(hù)提供具有最高功率密度和采用少量元件的解決方案，從而提高效率、增加功率密度和降低系統成本"。

ADI公司高級產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Tae Han說(shuō)："ADI公司的LTC7890設計可發(fā)揮EPC eGaN FET的優(yōu)勢，用于高功率密度解決方案。LTC7890實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)頻率和經(jīng)過(guò)優(yōu)化的死區時(shí)間，與市場(chǎng)上現有的解決方案相比，性能更卓越且功耗更低。通過(guò)這些新型控制器，客戶(hù)可以發(fā)揮氮化鎵器件的極速開(kāi)關(guān)優(yōu)勢，實(shí)現最高的功率密度。"