Vishay推出PowerPAK 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET，優(yōu)異的RDS(ON) 導通電阻低至0.65 m
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應用功率密度、能效和板級可靠性。為實(shí)現設計目標，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導通電阻，工作溫度可達+175 °C以及高連續漏極電流。節省空間的PowerPAK? 8x8L封裝采用無(wú)引線(xiàn)鍵合鷗翼引線(xiàn)結構消除機械應力，有助于提高板級可靠性。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202202/431214.htmSiJH600E和SiJH800E超低導通電阻—10 V下典型值分別為0.65 mW和1.22 mW—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %，從而減小了傳導功耗，實(shí)現節能的效果。
為提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E連續漏極電流分別為373 A和288 A，封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %，高度降低57 %。為節省電路板空間，每款MOSFET還可以用來(lái)取代兩個(gè)并聯(lián)的PowerPAK SO-8器件。
器件規格表：
產(chǎn)品型號 | VDS (V) | ID (A) | RDS(ON) @ 10 V (mW) | Rthjc (°C/W) |
SiJH600E | 60 | 373 | 0.65 | 0.36 |
SiJH800E | 80 | 299 | 1.22 | 0.36 |
該Vishay Siliconix器件工作溫度可達+175 °C，性能穩定可靠，適用于電源、電機驅動(dòng)控制、電池管理和電動(dòng)工具等應用同步整流。器件采用無(wú)鉛 (Pb) 封裝、無(wú)鹵素、符合RoHS標準，經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測試。
封裝對比表:
封裝 | 長(cháng) (mm) | 寬 (mm) | 高 (mm) | 尺寸 (長(cháng)x寬mm2) |
PowerPAK 8x8L | 8.0 | 7.9 | 1.8 | 63.2 |
D2PAK (TO-263) | 15.2 | 10 | 4.4 | 152 |
SiJH600E和SiJH800E現可提供樣品。產(chǎn)品供貨周期和數量的相關(guān)信息，請與Vishay或我們的經(jīng)銷(xiāo)商聯(lián)系。
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