應用材料公司在芯片布線(xiàn)領(lǐng)域取得重大突破，驅動(dòng)邏輯微縮進(jìn)入3 納米及以下技術(shù)節點(diǎn)

應用材料公司推出了一種全新的先進(jìn)邏輯芯片布線(xiàn)工藝技術(shù)，可微縮到3納米及以下技術(shù)節點(diǎn)。

●   在真空條件下將七種工藝技術(shù)整合到一個(gè)系統中，使互連電阻減半

●   新的材料工程解決方案提升芯片性能并降低功耗

●   最新系統彰顯了應用材料公司為客戶(hù)成為PPACt 賦能企業(yè)（PPACt enablement company?）的戰略

應用材料公司全新的Endura^? Copper Barrier Seed IMS?解決方案在高真空條件下將七種不同工藝技術(shù)集成到了一個(gè)系統中，從而使芯片性能和功耗得到改善

雖然晶體管尺寸縮小能夠使其性能提升，但這對互連布線(xiàn)中的影響卻恰恰相反：互連線(xiàn)越細，電阻越大，導致性能降低和功耗增加。從7納米節點(diǎn)到3納米節點(diǎn)，如果沒(méi)有材料工程技術(shù)上的突破，互連通孔電阻將增加10倍，抵消了晶體管縮小的優(yōu)勢。

應用材料公司開(kāi)發(fā)了一種名為Endura? Copper Barrier Seed IMS?的全新材料工程解決方案。這個(gè)整合材料解決方案在高真空條件下將ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計量這七種不同的工藝技術(shù)集成到一個(gè)系統中。其中，ALD選擇性沉積取代了ALD共形沉積，省去了原先的通孔界面處高電阻阻擋層。解決方案中還采用了銅回流技術(shù)，可在窄間隙中實(shí)現無(wú)空洞的間隙填充。通過(guò)這一解決方案，通孔接觸界面的電阻降低了50%，芯片性能和功率得以改善，邏輯微縮也得以繼續至3 納米及以下節點(diǎn)。

應用材料公司高級副總裁、半導體產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理珀拉布?拉賈表示：“每個(gè)智能手機芯片中有上百億條銅互連線(xiàn)，光是布線(xiàn)的耗電量就占到整個(gè)芯片的三分之一。在真空條件下整合多種工藝技術(shù)使我們能夠重新設計材料和結構，從而讓消費者擁有功能更強大和續航時(shí)間更長(cháng)的設備。這種獨特的整合解決方案旨在幫助客戶(hù)改善性能、功率和面積成本?！?/p>

Endura Copper Barrier Seed IMS系統現已被客戶(hù)運用在全球領(lǐng)先的邏輯節點(diǎn)代工廠(chǎng)生產(chǎn)中。