英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM

英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）旗下的Infineon Technologies LLC宣布推出第二代非易失性靜態(tài)RAM（nvSRAM）。新一代器件已通過(guò)QML-Q和高可靠性工業(yè)規格的認證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數據記錄應用，包括航天和工業(yè)應用。

256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引腳300 mil雙列直插式陶瓷封裝，符合MIL-PRF-38535 QML-Q規格（-55°C至125°C）和英飛凌的工業(yè)標準（-40 °C至85°C）。5 V和3 V版本均支持用于航天、通信和導航系統以及工業(yè)高爐和鐵路控制系統的引導代碼、數據記錄和校準數據存儲。英飛凌還提供晶圓銷(xiāo)售，以支持封裝系統。

Infineon Technologies LLC航天與國防業(yè)務(wù)副總裁Helmut Puchner表示：“新一代nvSRAM擴展了英飛凌在電荷阱型存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。我們nvSRAM系列中新增的這些符合QML-Q規范的高可靠性工業(yè)用器件證明了我們致力于為需要高性能、高可靠性存儲器的惡劣工作環(huán)境提供解決方案?！?/p>

英飛凌的nvSRAM技術(shù)將高性能SRAM與一流的SONOS非易失性技術(shù)相結合。在正常工作條件下，nvSRAM的作用類(lèi)似于傳統的異步SRAM。斷電時(shí)，nvSRAM會(huì )自動(dòng)將SRAM數據的副本保存到非易失性存儲器中，該數據的保護期限超過(guò)20年。英飛凌已交付超過(guò)20億顆基于SONOS的非易失性嵌入式或獨立存儲器。

供貨情況

現在可以訂購256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM。