Vishay推出具備優(yōu)異導通性能且經(jīng)過(guò)AEC-Q101認證的100 V 汽車(chē)級P溝道MOSFET
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，推出新款通過(guò)AEC-Q101認證的100 V p溝道TrenchFET? MOSFET--- SQJ211ELP ，用以提高汽車(chē)應用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不僅是業(yè)內首款鷗翼引線(xiàn)結構5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件，而且10 V條件下其導通電阻僅為30 mW，達到業(yè)內優(yōu)異水平。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202101/421937.htm日前發(fā)布的新款汽車(chē)級MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競品器件相比，導通電阻分別降低26 %和46 %，占位面積分別減小50 %和76 %。SQJ211ELP低導通電阻有助于降低導通功耗，從而節省能源，10 V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為45 nC，減少柵極驅動(dòng)損耗。
這款新型MOSFET可在+175°C高溫下工作，滿(mǎn)足反向極性保護、電池管理、高邊負載開(kāi)關(guān)和LED照明等汽車(chē)應用牢固性和可靠性要求。此外，SQJ211ELP鷗翼引線(xiàn)結構還有助于提高自動(dòng)光學(xué)檢測（AOI）功能，消除機械應力，提高板級可靠性。
器件100 V額定值滿(mǎn)足12 V、24 V和48 V系統多種常用輸入電壓軌所需安全裕度。此外，作為p溝道MOSFET，SQJ211ELP可簡(jiǎn)化柵極驅動(dòng)設計，無(wú)需配置n溝道器件所需電荷泵。 MOSFET采用無(wú)鉛（Pb）封裝、無(wú)鹵素、符合RoHS標準，經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測試。
SQJ211ELP現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，供貨周期為14周。
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