意法半導體推出緊湊型SO-8W封裝6kV磁隔離高壓柵極驅動(dòng)器
意法半導體發(fā)布了緊湊的高壓柵極驅動(dòng)器 STGAP2HS ,適用于柵極驅動(dòng)側與低壓控制接口電路之間要求6kV電隔離的應用場(chǎng)景。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202011/419959.htm這款1200V器件的輸出端最大灌電流和拉電流為4A,可以簡(jiǎn)化中高功率變換器、電源和逆變器設計,增強系統可靠性,適用于家用電器和工廠(chǎng)自動(dòng)化、風(fēng)扇、電磁加熱器、電焊機、不間斷電源等工業(yè)設備。
該器件采用意法半導體的BCD6s技術(shù)制造,具有雙輸入引腳,可讓設計人員靈活控制信號,并提供硬件互鎖保護功能,防止控制器發(fā)生故障時(shí)引發(fā)交叉導通。輸入引腳兼容最低3.3V的CMOS/TTL邏輯信號,方便與控制器連接。 低高壓電路之間匹配的傳播延遲可防止周期失真,最大程度地減少能量損耗,并允許高頻工作。在-40°C至125°C的整個(gè)溫度范圍內,共模瞬變抗擾度(CMTI)為±100V/ns。
STGAP2HS輸出有兩種不同的配置。 其中一個(gè)具有分離的輸出引腳,兩個(gè)引腳可使用不同的柵極電阻來(lái)獨立優(yōu)化導通和關(guān)斷時(shí)間。第二種配置只有一個(gè)輸出引腳,另外一個(gè)是米勒鉗位功能,可防止在半橋拓撲快速換向期間出現柵極電壓尖峰。每種配置都允許設計人員在上橋臂和下橋臂電路中使用N溝道MOSFET開(kāi)關(guān)管,從而降低外部組件的物料清單成本。
除了過(guò)熱保護外,STGAP2HS還有UVLO保護,防止功率開(kāi)關(guān)管在低效率或危險條件下運行,提高系統可靠性。輸入至輸出傳播延遲小于75ns,可實(shí)現精確的脈沖寬度調制(PWM)控制。除此以外芯片的待機模式幫助設計人員降低系統功耗。
STGAP2HS采用寬體SO-8W封裝,可在節省空間的封裝中確保爬電性能。
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