宜普電源轉換公司（EPC）的200 V 氮化鎵產(chǎn)品系列（eGaNFET）的性能提升了一倍
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新一代200 V 氮化鎵場(chǎng)效應晶體管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D類(lèi)音頻放大器、太陽(yáng)能微型逆變器和功率優(yōu)化器，以及多電平、高壓AC / DC轉換器的理想功率器件。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202008/417467.htm新一代200 V 氮化鎵場(chǎng)效應晶體管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D類(lèi)音頻放大器、太陽(yáng)能微型逆變器和功率優(yōu)化器，以及多電平、高壓AC / DC轉換器的理想功率器件。
增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場(chǎng)效應晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導廠(chǎng)商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款200 V eGaN FET（EPC2215和EPC2207），性能更高而同時(shí)成本更低，目前已有供貨。采用這些領(lǐng)先氮化鎵器件的應用十分廣闊，包括D類(lèi)音頻放大器、同步整流器、太陽(yáng)能最大功率點(diǎn)跟蹤器（MPPT）、DC/DC轉換器（硬開(kāi)關(guān)和諧振式），以及多電平高壓轉換器。
EPC2215（8 mΩ、162 Apulsed）和EPC2207（22 mΩ、54 Apulsed）的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%，而性能卻倍增。 與基準硅器件相比，這兩款氮化鎵器件的性能更高。 EPC2215的導通阻抗降低了33％，但尺寸卻縮小了15倍。 其柵極電荷（QG）較基準硅MOSFET器件小十倍，并且與所有eGaN FET一樣，沒(méi)有反向恢復電荷（QRR），從而使得D類(lèi)音頻放大器可以實(shí)現更低的失真，以及實(shí)現更高效的同步整流器和電機驅動(dòng)器。
EPC首席執行官兼共同創(chuàng )辦人Alex Lidow表示：“最新一代的eGaN FET在具備更高效散熱的更小型尺寸內，實(shí)現更高的性能，而且其成本與傳統MOSFET器件相若。氮化鎵器件必然可替代逐漸老化的功率MOSFET器件的趨勢日益明顯?！?/p>
EPC公司與得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校的半導體功率電子中心（SPEC）合作開(kāi)發(fā)了的400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四電平飛跨電容（FCML）圖騰柱無(wú)橋整流器，適用于數據中心，它使用了最新的200 V 氮化鎵場(chǎng)效應晶體管（EPC2215）。 得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校的Alex Huang教授說(shuō)：“ 氮化鎵場(chǎng)效應晶體管（eGaN FET）的優(yōu)越特性使得轉換器能夠實(shí)現高功率密度、超高效率和低諧波失真?！?/p>
Performance comparison of benchmark silicon 200 V FET vs. 200 V eGaN FETs
產(chǎn)品價(jià)格和供貨
下表列出了產(chǎn)品及相關(guān)開(kāi)發(fā)板和參考設計板的價(jià)格。
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