可變電阻式隨機存取存儲器（ReRAM）
—— ReRAM 概況
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ReRAM: 可變電阻式隨機存取存儲器
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202005/413166.htmReRAM是一種非易失性存儲器，通過(guò)向金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓，產(chǎn)生大的電阻差值來(lái)存儲“0”和“1”。
其結構非常簡(jiǎn)單，兩側電極將金屬氧化物包夾于中間，這簡(jiǎn)化了制造工藝，同時(shí)可實(shí)現低功耗和高速重寫(xiě)等卓越性能。
此存儲器具備行業(yè)最低讀取電流,非常適用于可穿戴設備和助聽(tīng)器。
推薦產(chǎn)品
● SPI 接口： ［新品］4 Mbit ReRAM "MB85AS4MT"
ReRAM 產(chǎn)品
型號 ( | 存儲密度 | 電源電壓 | 工作頻率 | 工作溫度 | 讀取電流 | 讀取周期 | 封裝 |
| MB85AS4MT ENG (939 KB) | 4Mbit | 1.65 至 3.6V | 5MHz | -40℃ 至 +85℃ | 0.2mA | 無(wú)限 | SOP-8 |
數據表)* MB85AS4MT是一個(gè)SPI接口產(chǎn)品
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