Power Integrations宣布旗下適用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver現已通過(guò)AEC-Q100汽車(chē)級認證

深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司近日宣布，其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門(mén)極驅動(dòng)器 SIC118xKQ SCALE-iDriver?現已通過(guò)AEC-Q100汽車(chē)級認證。新品件經(jīng)過(guò)設定后可支持常用SiC MOSFET的門(mén)極驅動(dòng)電壓要求，并具有先進(jìn)的安全和保護特性。

SIC1182KQ  (1200V)和 SIC1181KQ  (750V) SCALE-iDriver器件可驅動(dòng)汽車(chē)應用中的SiC MOSFET，新產(chǎn)品具有軌到軌輸出、快速門(mén)極開(kāi)關(guān)速度、支持正負輸出電壓的單極供電電壓、集成的功率和電壓管理以及加強絕緣。重要安全特性包括漏源極(V_DS)監測、電流檢測讀出、原方和副方欠壓保護(UVLO)、限流門(mén)極驅動(dòng)以及可確保在故障情況下安全工作和軟關(guān)斷的高級有源鉗位(AAC)。AAC 與 V_DS 監控相結合，可確保在短路情況下的安全關(guān)斷時(shí)間少于2μs。門(mén)極驅動(dòng)控制和AAC特性可使門(mén)極電阻最小化，這有助于降低開(kāi)關(guān)損耗，提高逆變器效率。

新器件將SCALE-iDriver的控制和安全特性與其高速FluxLink?通信技術(shù)的完美結合，與使用光耦器或電容性耦合器或磁性耦合器相比，Power Integrations為門(mén)極驅動(dòng)器IC技術(shù)帶來(lái)了革命性變化。這種組合極大地提高了絕緣能力，并且使用極少的外部器件即可實(shí)現安全可靠、高性?xún)r(jià)比的300kW以下逆變器設計。

Power Integrations汽車(chē)門(mén)極驅動(dòng)器產(chǎn)品高級市場(chǎng)總監Michael Hornkamp表示：“碳化硅MOSFET技術(shù)打開(kāi)了通向更輕便小巧的汽車(chē)逆變器系統的大門(mén)。開(kāi)關(guān)速度和工作頻率不斷提高；我們的低門(mén)極電阻值可用來(lái)維持高開(kāi)關(guān)效率，而我們的快速短路響應可在發(fā)生故障時(shí)為系統提供及時(shí)保護?！?/p>

“此外，SCALE-iDriver在絕緣強度方面為功能安全樹(shù)立了新標準；即使功率器件導致了嚴重的驅動(dòng)器故障，SCALE-iDriver的絕緣性能仍然完好無(wú)損，從而確保機箱的任何部分都不會(huì )有威脅生命的高壓存在?！盚ornkamp補充道。

新的單通道SIC118xKQ門(mén)極驅動(dòng)器可提供高達8A的輸出電流，并且適合標準門(mén)極-發(fā)射極電壓最低為+15V，負電壓范圍介于-3V至-15V的SiC MOSFET。新器件具有較強的外部磁場(chǎng)抗擾性能，采用緊湊的eSOP封裝，可提供≥9.5mm的爬電距離和電氣間隙，并且所采用的材料達到了最高CTI級（根據IEC 60112標準，CTI = 600）。新器件現已開(kāi)始供貨，以10,000片為單位訂貨，單價(jià)為5.39美元。