小尺寸650V GaN HEMT 設計解決方案 GaN Systems GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板在貿澤開(kāi)售
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近日，專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。此高速子板結合了GaN Systems的兩個(gè)650 V氮化鎵 (GaN) E-HEMT和安森美半導體的NCP51820柵極驅動(dòng)器，可為現有或新的離線(xiàn)電源轉換設計提供高性?xún)r(jià)比半橋解決方案。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202003/410979.htm作為授權分銷(xiāo)商，貿澤電子始終致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)，幫助客戶(hù)設計出先進(jìn)產(chǎn)品，并使客戶(hù)產(chǎn)品更快走向市場(chǎng)。超過(guò)800家半導體和電子元器件生產(chǎn)商通過(guò)貿澤將自己的產(chǎn)品帶向全球市場(chǎng)。貿澤只為客戶(hù)提供通過(guò)全面認證的原廠(chǎng)產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
貿澤備貨的GaN Systems GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板具有安森美半導體的一個(gè)NCP51820柵極驅動(dòng)器、GaN Systems的兩個(gè)采用高側/低側配置的GS66508B增強型硅基GaN功率開(kāi)關(guān)，以及所有必需的驅動(dòng)電路。NCP51820擁有非常短的匹配傳播延遲，先進(jìn)的電平移位技術(shù)以及單獨的專(zhuān)用穩壓器，可以防止功率開(kāi)關(guān)的門(mén)極發(fā)生過(guò)壓情況。兩個(gè)GS66508B器件都是底部冷卻晶體管，可為要求苛刻的高功率應用提供極低的結至外殼熱阻。
上述產(chǎn)品特性使得GS-EVB-HB-66508B-ON1 板能夠大幅降低功耗、重量、尺寸和系統成本。這款25 mm × 25 mm 的電路板可以替代現有電源中的高側/低側驅動(dòng)器和MOSFET，非常適合用于A(yíng)C-DC適配器、數據中心電源、光伏逆變器、儲能系統和無(wú)橋圖騰柱拓撲等應用。
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