宜普電源轉換公司（EPC）將于A(yíng)PEC 2020展覽會(huì )展示氮化鎵（GaN）技術(shù)推動(dòng)了多個(gè)行業(yè)的功率傳輸轉型

EPC團隊將于3月15至19日在美國新奧爾良（New Orleans）舉行的APEC 2020展覽會(huì )上，進(jìn)行11場(chǎng)關(guān)于氮化鎵技術(shù)及應用的演講 （參考下方圖表）。此外，EPC展位（#1847）也會(huì )有多個(gè)終端客戶(hù)最新的、基于氮化鎵場(chǎng)效應晶體管及集成電路的產(chǎn)品亮相。

48 V DC/DC轉換器

在展會(huì )上，EPC將發(fā)布ePower^TM Stage系列集成電路，在單一硅基GaN芯片上集成了所有功能，為行業(yè)重新定義功率轉換。氮化鎵技術(shù)專(zhuān)家將展示ePower^TM Stage及分立式氮化鎵器件如何能夠提升48 V功率轉換器的效率、縮小其尺寸及降低系統成本。該48 V轉換器面向超纖薄并且具有高功率（可高達250 W）的筆記本電腦、具有高功率密度的服務(wù)器及人工智能系統，以及汽車(chē)系統等應用。

激光雷達/飛行時(shí)間

此外，EPC將展出多個(gè)激光雷達應用，使得我們看到氮化鎵技術(shù)如何支持短距及長(cháng)距激光雷達傳感器。展示包括用于長(cháng)距離檢測的直接飛行時(shí)間（DToF）系統，可在低于2.5 納秒提供超過(guò)100 A的電流。

而用于短距離檢測的間接飛行時(shí)間（IToF）系統則可在低于1.2納秒的脈寬提供8 A脈沖電流。此外，EPC已有多家終端客戶(hù)的系統已經(jīng)投產(chǎn)，針對包括全自動(dòng)駕駛汽車(chē)、自動(dòng)化倉庫、無(wú)人機及吸塵機等應用。

馬達驅動(dòng)器

EPC并將介紹如何以GaN單芯片支持電動(dòng)滑板車(chē)的馬達供電。ePower? Stage器件應用于三相正弦激勵，馬達驅動(dòng)器的每相具10 A_RMS，可實(shí)現高效、寧靜、高性能及低成本的電動(dòng)汽車(chē)解決方案。 

無(wú)線(xiàn)電源

在無(wú)線(xiàn)電源充電方面，隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的迅速發(fā)展，全新的連接及傳感器件如果需要符合5G的要求，可靠及安全的無(wú)線(xiàn)供電不可或缺。EPC將展示支持5G的高效無(wú)線(xiàn)電源解決方案，可穿透e-glass及墻壁，傳輸高達65 W的電源。

有興趣在A(yíng)PEC展位與EPC的應用專(zhuān)家會(huì )面的工程師，歡迎您蒞臨我們的客戶(hù)套房，請于網(wǎng)上填寫(xiě)及提交表格，網(wǎng)址是epc-co.com/epc/Contact/RequestMeeting.aspx 。

在展會(huì )上，EPC也同時(shí)進(jìn)行11場(chǎng)專(zhuān)題演講，議題是關(guān)于氮化鎵技術(shù)及集成電路的技術(shù)發(fā)展。詳情如下：

3月17日星期二

§   氮化鎵功率器件的前進(jìn)步伐勢不可擋

演講者 : Alex Lidow博士

時(shí)間 : 9:20 am–9:45 am (IS04、地點(diǎn)R06)

§   硅器件已經(jīng)死亡、分立式器件則正在步向死亡

演講者 : Alex Lidow博士

時(shí)間 : 3:00 pm – 3:15 pm (Ridley Engineering Presents、展位號：1517)

3月18日星期三

§   采用氮化鎵器件的低成本飛行時(shí)間（ToF）

演講者 : John Glaser博士

時(shí)間 : 8:30 am – 8:55 am (IS08、地點(diǎn)：R02-R03)

§   采用氮化鎵場(chǎng)效應晶體管及數字控制器的超纖薄型48 V - 20 V、250 W DC/DC轉換器

演講者 : Jiangjing Wang博士

時(shí)間 : 9:20 am – 9:45 am (IS07、地點(diǎn)R04-R05)

§   基于氮化鎵場(chǎng)效應晶體管的三級同步降壓轉換器的優(yōu)化設計

演講者 : Jiangjing Wang博士

時(shí)間 : 9:50 am – 10:10 am (T12、地點(diǎn)：206-207)

§   eGaN^?技術(shù)及功率轉換的未來(lái)

演講者 : Alex Lidow博士

時(shí)間 : 1:00 pm – 1:30 pm (Exhibitor Seminar、Theater 1)

3月19日星期四

§   氮化鎵（GaN）器件進(jìn)行極其嚴謹的可靠性及失效測試方法

演講者 : Alex Lidow博士

時(shí)間 : 8:30 am – 8:55 am (IS23、地點(diǎn)： R07)

§   面向高頻功率轉換器的單片式氮化鎵（GaN）半橋集成電路

演講者 : Jianjing Wang博士

時(shí)間 :  8:55 am – 9:20 am (IS19,、地點(diǎn)： R04-R05)

§   功率轉換領(lǐng)域的系統單芯片（SoC）的發(fā)展路徑–one GaN Stage at a time

演講者 : Ravi Ananth博士

時(shí)間 :  9:45 am – 10:10 am (IS20、地點(diǎn)：R02-R03)

§   面向激光雷達照相機及其它低壓、超高頻、超快速脈沖功率應用的氮化鎵場(chǎng)效應晶體管（GaN FET）

演講者 : John Glaser博士

時(shí)間 :  1:45 pm – 2:10 pm (IS26、地點(diǎn)：R02-R03)

§   氮化鎵集成電路可快速去除技術(shù)壁壘

演講者 : Ravi Ananth博士

時(shí)間 :  2:10 pm – 2:35 pm (IS30、地點(diǎn)：R08)