NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅動(dòng)開(kāi)發(fā)
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2．3 NorFLASH的接口設計
系統用的NorFLASH芯片是Atmel公司開(kāi)發(fā)的AT49BV1614A，存儲空間為16 MB，在系統中常用于存放代碼，系統上電或復位后獲得指令開(kāi)始執行，因此，應將其配置到Bank0，將AT49BV1614A的片選端nCE接至 S3C2410的nGCS0；AT49BVl614A的輸出使能端nOE接S3C2410的nOE；寫(xiě)使能端nWE接S3C2410的nWBE0；將模式選擇nBYTE上拉，使AT49BV1614A工作在 16 位數據模式。AT49BV1614A地址總線(xiàn)A[19～0]和S3C2410的地址總線(xiàn)ADDR[20 ～1相連，16位數據總線(xiàn)DQ[15～0]和S3C2410的低16位數據總線(xiàn)DATA[15~0]相連。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201809/389000.htm
2. 4 NorFLASH在系統中的具體操作
以AT49BV1614A芯片時(shí)序圖為例，具體說(shuō)明NorFLASH的寫(xiě)操作，如圖2所示。
CLE信號有效時(shí)系統通過(guò)I／O口向命令寄存器發(fā)送命令00H，此時(shí)WE為低電平，寫(xiě)操作有效，NandFLASH處于寫(xiě)狀態(tài)。發(fā)送命令后，接著(zhù)發(fā)送要讀的地址，該操作將占用WE的1，2，3，4四個(gè)周期，發(fā)送地址信息時(shí)，CLE為低電平，ALE為高電平。地址信息發(fā)送完畢后，不能立刻讀取數據，因為此時(shí)芯片正處于BUSY(忙)狀態(tài)，需要等待2～20 ms，之后，才能開(kāi)始數據讀取。此時(shí)WE為高電平，處于無(wú)效狀態(tài)，CE片選信號也始終為低以表明選中該芯片。
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