專(zhuān)家觀(guān)點(diǎn)：新一代存儲器？十年后再說(shuō)吧！

很少人會(huì )想到 NAND快閃記憶體已經(jīng)快要消失在地平線(xiàn)上、即將被某種新技術(shù)取代，筆者最近參加了一場(chǎng)IBM/Texas Memory Systems關(guān)于快閃記憶體儲存系統的電話(huà)會(huì )議，聽(tīng)到不少儲存系統專(zhuān)家試圖把對話(huà)導引到IBM在下一代記憶體技術(shù)的規劃上，于是很驚訝地發(fā)現這些人居然都認為 NAND快閃記憶體很快就會(huì )被新記憶體技術(shù)取代。

筆者在去年7月的HotChips大會(huì )上曾經(jīng)做過(guò)一場(chǎng)簡(jiǎn)報，指出快閃記憶體在未來(lái)十年將會(huì )是主流記憶體技術(shù);而現在該產(chǎn)業(yè)才剛進(jìn)入SanDisk所說(shuō)的「1Ynm」世代，接著(zhù)還將邁入「1Znm」世代。SanDisk認為，在「1Znm」之后，平面記憶體將式微，我們將進(jìn)入3D記憶體的時(shí)代;其他 NAND快閃記憶體制造大廠(chǎng)也有類(lèi)似的預測。

不過(guò)有鑒于這個(gè)產(chǎn)業(yè)的運作模式，在「1Znm」世代之后，若出現另一條延續平面記憶體生命的新途徑也不足為奇;因此如果以每個(gè)記憶體世代兩年生命周期來(lái)計算，平面快閃記憶體應該還能存活4~6年。在那之后，我們則將會(huì )擁有3D NAND快閃記憶體技術(shù)。

雖然三星(Samsung)在去年8月宣布開(kāi)始量產(chǎn)3D結構的V-NAND快閃記憶體，但該產(chǎn)品的稀有性意味著(zhù)它還沒(méi)準備好取代平面記憶體的地位;筆者猜測，3D記憶體技術(shù)到2017年以前應該都還不會(huì )真正的大量生產(chǎn)。

今日大多數廠(chǎng)商都預期3D記憶體在式微之前也會(huì )經(jīng)歷三個(gè)世代，因此同樣以?xún)赡暌粋€(gè)世代來(lái)計算，NAND快閃記憶體技術(shù)應該在4~6年之后，還會(huì )有另外一個(gè)6年的生命;所以在記憶體產(chǎn)業(yè)真的需要新技術(shù)來(lái)驅動(dòng)產(chǎn)品價(jià)格下降那時(shí)，應該已經(jīng)是10~12年之后了。

我的意思并不是其他記憶體技術(shù)有什么不對，只是目前尚未有足夠的力量讓它們的價(jià)格能比 NAND快閃記憶體更低廉;而且在 NAND快閃記憶體到達制程微縮極限之前，也沒(méi)有其他的動(dòng)能可以改變現在的狀況。無(wú)論如何，要達到最低的成本、總是要有最大的產(chǎn)量，NAND快閃記憶體與 DRAM目前就是比其他任何一種記憶體技術(shù)更便宜的方案。