一種單片機可控硅電路中LDO燒毀原因分析

在雙向可控硅電路中，電路打火是一種經(jīng)常出現的錯誤現象。很多新手再遭遇電路打火之后都需要耗費很多的精力和時(shí)間來(lái)進(jìn)行錯誤排查。本文將通過(guò)舉例的方式，為大家介紹一種單片機電路打開(kāi)可控硅之后電路打火進(jìn)而燒毀LDO的原因，并試著(zhù)找出解決方法。

原理圖如圖1所示，當直流24V是半波后阻容降壓，HT7533轉換3V給單片機控制可控硅和繼電器，單片機控制信號先打開(kāi)可控硅6ms，再打開(kāi)繼電器。當可控硅不焊接的時(shí)候，單片機控制繼電器都正常，但接上MAC97A之后，單片機一旦打開(kāi)可控硅，電路就會(huì )打火，單片機和后端的24V轉3V的LDO便會(huì )燒毀。

那么是什么原因造成了這種現象呢?

圖1

圖2

首先需要明確的是，如果使用可控硅控制，那么就要使用MOC3022之類(lèi)光耦隔離控制，要求阻容降壓電源正極和交流電源線(xiàn)共線(xiàn)，同時(shí)可控硅A1接在共線(xiàn)上。但是從圖上來(lái)看，可控硅的G和T2之間電壓很小，在可控硅焊接之后，就可以把220v引入，此時(shí)是必定會(huì )打火的。

此外可以看到電路中的網(wǎng)格編號是互通的，看圖中相同網(wǎng)絡(luò )編號的黑粗線(xiàn)，繼電器兩個(gè)觸點(diǎn)和可控硅的T1、T2是并聯(lián)的。因此需要再加個(gè)MOC3021隔離驅動(dòng)可控硅，可控硅驅動(dòng)不是只在G接控制即可，G的控制是相對于T2的，但本例中的T2是達到了220v。

實(shí)際上此套電路的設計思路很有想法，繼電器接通時(shí)有抖動(dòng)，這樣可以避免繼電器抖動(dòng)帶來(lái)的危害，因為在繼電器接通時(shí)可控硅已經(jīng)打通。

可以看到，文中所介紹的雙向可控硅案例之所以出現燒毀的現象。是因為電壓引入過(guò)大造成的。當然，也不是每種電路燒毀的現象都是由于這種原因造成的，這里小編只是為大家分析了其中一種問(wèn)題的產(chǎn)生原因，希望大家再閱讀過(guò)本文之后能夠有所收獲。