查了下GD的手冊和一些論壇中使用過(guò)的大佬發(fā)布的帖子，GD32F103替換STM32F103需要注意的地方總結如下：

一、相同點(diǎn)

1) 、外圍引腳定義： 相同型號的管腳定義相同

2) 、Cortex M3 內核： STM32F103 內核 R1P1 版本, STM32F205 內核 R2P1， GD32 內核 R2P1 版本，此內核已經(jīng)修復了 R1P1 的一些 bug

3)、 芯片內部寄存器， 外部 IP 寄存器地址 : 邏輯地址相同，主要是根據 STM32 的寄存器和物理地址,做得正向研發(fā).

4) 、函數庫文件： 函數庫相同，優(yōu)化需要更改頭文件

5) 、編譯工具： 完全相同 例如：keil MDK、IAR

6)、 型號命名方式： 完全相同

二、外圍硬件區別

1) 、電壓范圍（ADC）： GD32F： 2.6-3.6V STM32F： 2.0-3.6V（外部電壓） GD32F： 1.2V（內核電壓）STM32F： 1.8V（內核電壓）

2)、 BOOT 0 管腳： Flash 程序運行時(shí)，BOOT0 在 STM32 上可懸空，GD32 必須外部下拉（從 Flash 運行，BOOT0 必須下拉地）

3)、 ESD 參數： STM32 人體模式 2KV,空氣模式 500V GD32 人體模式 4KV(內測 5KV),空氣模式 10KV(內測 15KV)

三. 內部結構差別

1) 、啟動(dòng)時(shí)間： GD32 啟動(dòng)時(shí)間相同，由于 GD 運行稍快，需要延長(cháng)上電時(shí)間 配置(2ms)

2) 、主頻時(shí)鐘： GD32F10 系列主頻 108MHZ STM32F10 系列主頻 72MHZ

3)、 Flash 擦除時(shí)間： GD32 是 60ms/page，STM 30ms/page

4) 、FLASH 容量： GD32 最大容量 3M Byte

5)、 SRAM 空間： GD32F103 系列、GD32F105107 大容量系列 SRAM 96K

6)、 VB 外擴總線(xiàn) FSMC：GD32 100PIN 配置總線(xiàn)輸出，STM32 144PIN 并且 256k 以上 才配置總線(xiàn)輸出

四. 功耗區別(以 128k 以下容量的作為參考)

1) 、睡眠模式 Sleep： GD32F： 12.4mA STM32F10X： 7.5mA

2) 、深度睡眠模式 Deep Sleep： GD32F： 1.4mA STM32F10X： 24uA

3)、 待機模式 Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA

4) 、運行功耗： GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M

五、硬件替換要注意的地方

從上面的介紹中，我們可以看出，GD32F103系列和STM32F103系列是兼容的，但也需要一些注意的地方。

1、BOOT0必須接10K下拉或接GND，ST可懸空，這點(diǎn)很重要。

2、RC復位電路必須要有，否則MCU可能不能正常工作，ST的有時(shí)候可以不要。

3、有時(shí)候發(fā)現用仿真器連接不上。因為GD的swd接口驅動(dòng)能力比ST弱，可以有如下幾種方式解決：

a、線(xiàn)盡可能短一些；

b、降低SWD通訊速率；

c、SWDIO接10k上拉，SWCLK接10k下拉。

4、使用電池供電等，注意GD的工作電壓，例如跌落到2.0V~2.6V區間，ST還能工作，GD可能無(wú)法啟動(dòng)或工作異常。

四、使用ST標準庫開(kāi)發(fā)需要修改的地方

1、GD對時(shí)序要求嚴格，配置外設需要先打開(kāi)時(shí)鐘，再進(jìn)行外設配置，否則可能導致外設無(wú)法配置成功；ST的可以先配置在開(kāi)時(shí)鐘。

2、修改外部晶振起振超時(shí)時(shí)間，不用外部晶振可跳過(guò)這步。

原因：GD與ST的啟動(dòng)時(shí)間存在差異，為了讓GD MCU更準確復位。

修改：

將宏定義：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500)修改為：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0xFFFF)

3、GD32F10X flash取值零等待，而ST需要2個(gè)等待周期，因此，一些精確延時(shí)或者模擬IIC或SPI的代碼可能需要修改。

原因：GD32采用專(zhuān)利技術(shù)提高了相同工作頻率下的代碼執行速度。

修改：如果使用for或while循環(huán)做精確定時(shí)的，定時(shí)會(huì )由于代碼執行速度加快而使循環(huán)的時(shí)間變短，因此需要仿真重新計算設計延時(shí)。使用Timer定時(shí)器無(wú)影響。

4、在代碼中設置讀保護，如果使用外部工具讀保護比如JFLASH或脫機燒錄器設置，可跳過(guò)此步驟。

在寫(xiě)完KEY序列后，需要讀該位確認key已生效，修改如下：

總共需要修改如下四個(gè)函數：

FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);

5、GD與ST在flash的Erase和Program時(shí)間上有差異，修改如下：

6、需求flash大于256K注意，小于256K可以忽略這項。

與ST不同，GD的flash存在分區的概念，前256K，CPU執行指令零等待，稱(chēng)code區，此范圍外稱(chēng)為dataZ區。兩者在擦寫(xiě)操作上沒(méi)有區別，但在讀操作時(shí)間上存在較大差別，code區代碼取值零等待，data區執行代碼有較大延遲，代碼執行效率比code區慢一個(gè)數量級，因此data區通常不建議運行對實(shí)時(shí)性要求高的代碼，為解決這個(gè)問(wèn)題，可以使用分散加載的方法，比如把初始化代碼，圖片代碼等放到data區。

7、ADC采集

a> ADC通道要配置成模擬輸入，芯片默認是浮空輸入，如果不配成模擬輸入，ST的可以正常采集，GD不行

b> ADC時(shí)鐘沒(méi)有手動(dòng)分頻最大運行頻率14Mhz以?xún)?，ST可以正常采集，GD不行。

c> ADC使能后需要加不少于20us延時(shí)。

d> 采樣精度不如STM32f103，GD32f103存在這個(gè)問(wèn)題，如果對ADC精度要求不高可以選用，可以選用PIN TO PIN 兼容F103系列的GD32E103和GD32F303系列解決。

總結：至此，經(jīng)過(guò)以上修改，不使用USB和網(wǎng)絡(luò )等復雜協(xié)議的代碼，就可以使用ST的代碼操作了。

PS:GD的主頻支持108MHz，有時(shí)候需要提供主頻，提供一個(gè)96MHZ的參考：

static void SetSysClockTo96(void){
  __IO uint32_t StartUpCounter = 0, HSEStatus = 0;
  
	RCC_APB2PeriphResetCmd(RCC_APB2Periph_AFIO|RCC_APB2Periph_GPIOA|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOC,ENABLE);
	RCC_APB2PeriphResetCmd(RCC_APB2Periph_AFIO|RCC_APB2Periph_GPIOA|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOC,!ENABLE);	
  /* SYSCLK, HCLK, PCLK2 and PCLK1 configuration ---------------------------*/    
  /* Enable HSE */    
  RCC->CR |= ((uint32_t)RCC_CR_HSEON); 
  /* Wait till HSE is ready and if Time out is reached exit */
  do
  {
    HSEStatus = RCC->CR & RCC_CR_HSERDY;
    StartUpCounter++;  
  } while((HSEStatus == 0) && (StartUpCounter != HSE_STARTUP_TIMEOUT));for(StartUpCounter=0;StartUpCounter<0x1fff;StartUpCounter++);  if ((RCC->CR & RCC_CR_HSERDY) != RESET)
  {
    HSEStatus = (uint32_t)0x01;
  }  else
  {
    HSEStatus = (uint32_t)0x00;
  }  

  if (HSEStatus == (uint32_t)0x01)
  {    /* Enable Prefetch Buffer */
    FLASH->ACR |= FLASH_ACR_PRFTBE;    /* Flash 2 wait state */
    FLASH->ACR &= (uint32_t)((uint32_t)~FLASH_ACR_LATENCY);
    FLASH->ACR |= (uint32_t)FLASH_ACR_LATENCY_2;    

 
    /* HCLK = SYSCLK */
    RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_HPRE_DIV1;      
    /* PCLK2 = HCLK */
    RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_PPRE2_DIV1;    
    /* PCLK1 = HCLK */
    RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_PPRE1_DIV2;#ifdef STM32F10X_CL
    /* Configure PLLs ------------------------------------------------------*/
    /* PLL2 configuration: PLL2CLK = (HSE / 5) * 8 = 40 MHz */
    /* PREDIV1 configuration: PREDIV1CLK = PLL2 / 5 = 8 MHz */
        
    RCC->CFGR2 &= (uint32_t)~(RCC_CFGR2_PREDIV2 | RCC_CFGR2_PLL2MUL |
                              RCC_CFGR2_PREDIV1 | RCC_CFGR2_PREDIV1SRC);
    RCC->CFGR2 |= (uint32_t)(RCC_CFGR2_PREDIV2_DIV5 | RCC_CFGR2_PLL2MUL8 |
                             RCC_CFGR2_PREDIV1SRC_PLL2 | RCC_CFGR2_PREDIV1_DIV5);  
    /* Enable PLL2 */
    RCC->CR |= RCC_CR_PLL2ON;    /* Wait till PLL2 is ready */
    while((RCC->CR & RCC_CR_PLL2RDY) == 0)
    {
    }    
   
    /* PLL configuration: PLLCLK = PREDIV1 * 12 = 96 MHz */ 
    RCC->CFGR &= (uint32_t)~(RCC_CFGR_PLLXTPRE | RCC_CFGR_PLLSRC | RCC_CFGR_PLLMULL);
    RCC->CFGR |= (uint32_t)(RCC_CFGR_PLLXTPRE_PREDIV1 | RCC_CFGR_PLLSRC_PREDIV1 | 
                            RCC_CFGR_PLLMULL12); 
#else    #if 0
    /*  PLL configuration: PLLCLK = HSE * 12 = 96 MHz */
    RCC->CFGR &= (uint32_t)((uint32_t)~(RCC_CFGR_PLLSRC | RCC_CFGR_PLLXTPRE |
                                        RCC_CFGR_PLLMULL));																				for(StartUpCounter=0;StartUpCounter<0x1fff;StartUpCounter++);
    RCC->CFGR |= (uint32_t)(RCC_CFGR_PLLSRC_HSE | RCC_CFGR_PLLMULL12);#else//	RCC->CFGR &= (uint32_t)((uint32_t)~(RCC_CFGR_PLLSRC | RCC_CFGR_PLLXTPRE |//                                        RCC_CFGR_PLLMULL));
																				
	//RCC->CFGR |= (uint32_t)(RCC_CFGR_PLLSRC_HSE|(1<<17));
	//RCC->CFGR &= ~(RCC_CFGR_PLLMULL);
	//RCC->CFGR |= (uint32_t)(1<<27u);
	RCC->CFGR &= (uint32_t)((uint32_t)~(RCC_CFGR_PLLSRC | RCC_CFGR_PLLXTPRE |
                                        RCC_CFGR_PLLMULL));
    RCC->CFGR |= (uint32_t)(RCC_CFGR_PLLSRC_HSE | (1<<27)|(7<<18)|(1<<17));#endif#endif /* STM32F10X_CL */

    /* Enable PLL */
    RCC->CR |= RCC_CR_PLLON;    /* Wait till PLL is ready */
    while((RCC->CR & RCC_CR_PLLRDY) == 0)
    {
    }    for(StartUpCounter=0;StartUpCounter<0x1fff;StartUpCounter++);    /* Select PLL as system clock source */
    RCC->CFGR &= (uint32_t)((uint32_t)~(RCC_CFGR_SW));
    RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_SW_PLL;    
		for(StartUpCounter=0;StartUpCounter<0x200;StartUpCounter++);		for(StartUpCounter=0;StartUpCounter<0x1fff;StartUpCounter++);    /* Wait till PLL is used as system clock source */
    while ((RCC->CFGR & (uint32_t)RCC_CFGR_SWS) != (uint32_t)0x08)
    {
    }
  }  else
  { /* If HSE fails to start-up, the application will have wrong clock 
         configuration. User can add here some code to deal with this error */
  }
}

還是希望國產(chǎn)芯片能越做越好，早日實(shí)現國產(chǎn)化，這樣就不怕人家卡脖子了！