國產(chǎn)相變存儲器如何開(kāi)啟產(chǎn)業(yè)化應用？

潛心相變存儲器研究15年，中科院上海微系統所研究院宋志棠團隊在130納米技術(shù)節點(diǎn)相變存儲器技術(shù)研發(fā)取得重大突破。近4年來(lái)，通過(guò)和珠海艾派克微電子有限公司產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同合作開(kāi)發(fā)的打印機用相變存儲器芯片，取得了工程應用的突破，實(shí)現了產(chǎn)業(yè)化銷(xiāo)售。截至今年6月，該芯片已銷(xiāo)售1600萬(wàn)顆。這是記者從6月28日上海微系統所舉行的成果發(fā)布會(huì )上獲悉的。

相變存儲器，顧名思義，是利用電脈沖誘導相變材料在高阻的非晶態(tài)與低阻的晶態(tài)之間進(jìn)行可逆轉變，實(shí)現信息的寫(xiě)入和擦除，通過(guò)電阻變化實(shí)現數據讀出的一種新型存儲器。能否研發(fā)出集兩者優(yōu)點(diǎn)于一身的新型存儲器，成了影響電子產(chǎn)品升級換代的一個(gè)關(guān)鍵因素。相變存儲器是近年來(lái)科學(xué)家研究的新型存儲器之一。目前國際上僅有三星、鎂光、英特爾推出了相變存儲產(chǎn)品。

為了打破這一局面，宋志棠團隊從2003年于國內率先開(kāi)展相變存儲器的研發(fā)。在中科院上海微系統所和中芯國際的支持下，雙方共同組建研發(fā)團隊，申請國家項目，搭建起8-12英寸相變存儲器研發(fā)平臺，并于2007年進(jìn)一步建立了“納米半導體存儲技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室”，經(jīng)過(guò)多年研究取得了多項重大技術(shù)進(jìn)展，建立了1.6億關(guān)鍵的相變存儲器專(zhuān)用平臺，實(shí)現了相變材料制備工藝與中芯國際180nm-28nm標準CMOS工藝的無(wú)縫對接，使我國的相變存儲器芯片研發(fā)條件達到了國際先進(jìn)水平。

我國相變存儲器技術(shù)目前處于剛起步階段，為加快推進(jìn)相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程， 2012年中科院上海微系統所與行業(yè)龍頭企業(yè)艾派克合作。中科院上海微系統所側重原始創(chuàng )新及關(guān)鍵技術(shù)的基礎科學(xué)問(wèn)題研究，中芯國際擅長(cháng)芯片集成工藝的開(kāi)發(fā)，艾派克深耕市場(chǎng)，三方合作創(chuàng )新，產(chǎn)學(xué)研用緊密結合。

“在這種合作模式下，國產(chǎn)相變存儲器技術(shù)勢必會(huì )為我國半導體行業(yè)帶來(lái)新的契機。”據艾派克副總經(jīng)理丁勵介紹，三方聯(lián)合設計的Kb級打印機用相變存儲器芯片于2016年實(shí)現產(chǎn)業(yè)化，供貨4個(gè)多月來(lái)尚未出現任何問(wèn)題。未來(lái)三方將進(jìn)一步開(kāi)發(fā)110-40納米技術(shù)節點(diǎn)的打印機、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域相變存儲器芯片，為嵌入式相變存儲器技術(shù)發(fā)展和大容量相變存儲器芯片應用積累更加豐富工程經(jīng)驗。