美高森美宣布推出專(zhuān)門(mén)用于SiC MOSFET技術(shù)的 極低電感SP6LI封裝 實(shí)現高電流、高開(kāi)關(guān)頻率和高效率

　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導體技術(shù)方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 發(fā)布專(zhuān)門(mén)用于高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模塊的極低電感封裝。這款全新封裝專(zhuān)為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列而開(kāi)發(fā)，經(jīng)設計提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現高電流、高開(kāi)關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM 歐洲電力電子展上展示使用新封裝的SP6LI功率模塊，以及其它現有產(chǎn)品系列中的SiC功率模塊產(chǎn)品。

　　美高森美繼續擴大其SiC解決方案的開(kāi)發(fā)工作，已經(jīng)成為向市場(chǎng)提供一系列Si / SiC功率分立和模塊解決方案的少數供應商之一。美高森美的SP6LI產(chǎn)品系列采用專(zhuān)為高電流SiC MOSFET功率模塊而設計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標準模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從1200 V、210A至586 A;以及Tc同為80°C的情況下達到1700 V、207 A的相臂拓撲。這種新型封裝具有更高的功率密度和緊湊的外形尺寸，可以使用較少數量的并聯(lián)模塊來(lái)實(shí)現完整的系統，幫助客戶(hù)進(jìn)一步縮小設備尺寸。

　　美高森美的SP6LI功率模塊可以用于多種工業(yè)、汽車(chē)、醫療、航天和國防應用領(lǐng)域的開(kāi)關(guān)模式電源和電機控制，示例包括電動(dòng)車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)(EV/HEV)動(dòng)力傳送和動(dòng)能回收系統、飛機作動(dòng)器系統、發(fā)電系統、開(kāi)關(guān)模式電源，用于電感加熱、醫療電源和列車(chē)電氣化等應用的開(kāi)關(guān)模式電源、光伏(PV)/太陽(yáng)能/風(fēng)能轉換器 和不間斷電源。

　　美高森美副總裁兼功率分立器件和模塊業(yè)務(wù)部門(mén)經(jīng)理Leon Gross表示：“我們的極低雜散電感標準SP6LI封裝非常適合為用于高開(kāi)關(guān)頻率、高電流和高效率應用的SiC MOSFET器件改善性能，通過(guò)提供更小尺寸的電源系統解決方案，幫助客戶(hù)大幅降低設備需求。我們的低電感封裝具有出色的開(kāi)關(guān)特性，使客戶(hù)能夠開(kāi)發(fā)更高性能的高可靠性系統，幫助他們從競爭中脫穎而出?！?/p>

　　市場(chǎng)研究機構Technavio指出，面向全球半導體應用的SiC市場(chǎng)預計在2021年前達到大約5.405億美元，年復合增長(cháng)率(CAGR)超過(guò)18%。此外，IHS Markit的研究表明，預計SiC MOSFET器件到2025年將產(chǎn)生超過(guò)3億美元營(yíng)收，幾乎達到肖特基二極管的水平，成為第二大暢銷(xiāo)SiC分立功率器件類(lèi)型。

　　美高森美的SP6LI電源模塊采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二極管構成的相臂拓撲，每個(gè)開(kāi)關(guān)具有低至2.1 mOhms 的極低RDSon，并提供用于溫度監控的內部熱敏電阻和用于信號和電源連接的旋入式端子，以及用于改善熱性能的隔熱和高導熱性基板(氮化鋁作為標準，氮化硅作為選件)。此外，標準銅底板可替換為鋁碳化硅(AlSiC)材料選件以實(shí)現更高的功率循環(huán)能力。

　　其它主要特性包括：

　　· 在相臂拓撲結構中優(yōu)化多SiC MOSFET和二極管芯片組件的布局;

　　· 采用對稱(chēng)設計，每個(gè)開(kāi)關(guān)最多可并聯(lián)12個(gè)SiC MOSFET芯片;

　　· 每個(gè)管芯均與自身柵極串聯(lián)電阻并聯(lián)，實(shí)現均勻的電流平衡;

　　· 在非?？斓拈_(kāi)關(guān)頻率下，具有高達600 A的高電流能力;以及

　　· 可選的組裝材料組合，能夠更好地滿(mǎn)足不同的市場(chǎng)和應用需求。

　　6月5日至7日在PCIM展會(huì )6號展廳318展臺進(jìn)行演示

　　美高森美產(chǎn)品專(zhuān)家將在PCIM展會(huì )期間于公司展臺上展示其下一代SiC解決方案，包括新型低電感基于SiC的 SP6LI功率模塊。此外，還將展示最近發(fā)布的新一代1200 V、40 mOhm SiC MOSFET器件和1200 V、10/30 / 50A SiC二極管產(chǎn)品，以及功率因數校正(PFC)參考設計。

　　產(chǎn)品供貨

　　美高森美現在提供采用低電感封裝的SP6LI產(chǎn)品系列樣品，如要了解更多的信息，請訪(fǎng)問(wèn)公司網(wǎng)頁(yè)。