美高森美繼續擴大碳化硅產(chǎn)品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件

　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導體技術(shù)方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD/MOSFET產(chǎn)品系列中的其它最新器件。

　　美高森美繼續擴大其SiC產(chǎn)品系列的開(kāi)發(fā)工作，已經(jīng)成為向市場(chǎng)提供一系列Si / SiC功率分立和模塊解決方案的少數供應商之一。這些新一代SiC MOSFET器件非常適合工業(yè) 和汽車(chē)市場(chǎng)中的多種應用，包括混合動(dòng)力車(chē)(HEV)/電動(dòng)車(chē)(EV)充電、插電/感應式車(chē)載充電器(OBC)、DC-DC轉換器和電動(dòng)車(chē)動(dòng)力系統/牽引控制。它們也可用于醫療、航天、國防和 數據中心應用中的開(kāi)關(guān)模式電源、光伏(PV)逆變器和電機控制。

　　美高森美副總裁兼功率分立器件和模塊業(yè)務(wù)部門(mén)經(jīng)理Leon Gross表示：“對于電動(dòng)車(chē)充電、DC-DC轉換器、動(dòng)力系統、醫療和工業(yè)設備以及航空驅動(dòng)等應用，若要SiC解決方案快速獲得采用，這些系統中使用的元器件必須具有較高效率、安全性和可靠性水平。美高森美的下一代SiC MOSFET和SiC二極管系列將會(huì )通過(guò)AEC-Q101資質(zhì)認證以確保高可靠性水平，而且其高重復性無(wú)箝制感應開(kāi)關(guān)(UIS)能力在額定電流下不會(huì )出現退化或失效，可見(jiàn)其穩健性?！?/p>

　　市場(chǎng)研究機構Technavio指出，面向全球半導體應用的SiC市場(chǎng)預計在2021年前達到大約5.405億美元，年復合增長(cháng)率(CAGR)超過(guò)18%。該公司還預測2021年前全球汽車(chē)半導體應用SiC器件市場(chǎng)的年復合增長(cháng)率將達到20%左右。美高森美在這些發(fā)展趨勢中處于有利地位，其SiC MOSFET和肖特基勢壘二極管器件具有高短路耐受能力的額定雪崩性能，能夠實(shí)現穩健工作，并具有充足功能來(lái)滿(mǎn)足這些不斷增長(cháng)的應用趨勢。

　　與競爭Si/SiC二極管/MOSFET和IGBT解決方案相比，美高森美下一代1200 V、25/40/80 mOhm SiC MOSFET器件和裸片，以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件均具有對客戶(hù)極具吸引力的巨大優(yōu)勢，包括可在更高的開(kāi)關(guān)頻率下實(shí)現更高效的開(kāi)關(guān)運作，以及更高的雪崩/UIS額定值和更高的短路耐受額定值，從而實(shí)現穩健可靠的運作。例如，SiC MOSFET器件的開(kāi)發(fā)重點(diǎn)是平衡特定導通電阻、低柵極電阻和熱阻，以及低柵極閾值電壓和電容，從而實(shí)現可靠的工作。這些器件針對高良率工藝和低溫度范圍參數變化而設計，在高結溫(175°C)下以更高的效率(相比Si和IGBT解決方案) 工作，能夠擴展HEV/EV及其它應用中的電池系統。

　　這些新器件樣品正在進(jìn)行AEC-Q101認證，并已通過(guò)了其中的高溫反向偏壓(HTRB)和時(shí)間依賴(lài)性介質(zhì)擊穿(TBBD)測試，證明可提供出色的柵極完整性和高柵極良率。其它主要特性包括：

　　比競爭SiC MOSFET和GaN器件高出1.5倍至2倍的出色UIS能力，實(shí)現雪崩穩健性;

　　比競爭SiC MOSFET器件高出1.5倍至5倍的高短路額定性能，實(shí)現更穩健的工作;

　　針對中子敏感性，在額定電壓下的失效時(shí)間(FIT)較同類(lèi)Si IGBT器件降低10倍;性能與中子輻照有關(guān)的SiC競爭產(chǎn)品相當;以及

　　與Si器件相比，SiC器件具有更高的功率密度，充許尺寸更小的磁性元件/變壓器/直流母線(xiàn)電容器和更少的散熱元件，從而實(shí)現更緊湊的外形尺寸，降低整體系統成本。

　　6月5日至7日在PCIM展會(huì )6號展廳318展臺進(jìn)行演示

　　美高森美產(chǎn)品專(zhuān)家將在PCIM展會(huì )期間于公司展臺上展示其下一代SiC解決方案，重點(diǎn)展品包括最近推出的新一代1200 V、40 mOhm SiC MOSFET器件和1200V、10/30/50A SiC二極管產(chǎn)品。

　　產(chǎn)品供貨

　　美高森美現在提供下一代1200 V SiC MOSFET器件和裸片以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件樣品。