美高森美瞄準工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)推出新型SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品，繼續在碳化硅解決方案領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位

　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布提供下一代1200V 碳化硅(SiC) MOSFET系列的首款產(chǎn)品40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及與之配合的1200 V SiC肖特基勢壘二極管(SBD)，進(jìn)一步擴大旗下日益增長(cháng)的SiC分立器件和模塊產(chǎn)品組合。

　　這款全新SiC MOSFET產(chǎn)品系列具有高雪崩性能，展示了在工業(yè)、汽車(chē)和商業(yè)航空電源應用中的耐用性，并且提供了實(shí)現穩健運作的高耐短路能力。此外，該產(chǎn)品系列的其他成員將在未來(lái)幾個(gè)月內陸續發(fā)布，包括符合商業(yè)和AEC-Q101標準的700 V和1200 V SiC MOSFET解決方案，以配合美高森美新發(fā)布的SiC SBD器件所針對的廣泛電源應用。

　　美高森美副總裁兼功率分立和模塊業(yè)務(wù)部門(mén)經(jīng)理Leon Gross表示：“我們新的SiC MOSFET產(chǎn)品系列為客戶(hù)提供了更高效開(kāi)關(guān)和高可靠性的優(yōu)勢，特別是與硅二極管、硅MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)解決方案相比，我們的優(yōu)勢更加明顯。專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)用于惡劣環(huán)境的高性?xún)r(jià)比電力電子解決方案的客戶(hù)，可以從這些新一代產(chǎn)品中選擇理想的解決方案，它們都能夠根據具體的SiC MOSFET需求進(jìn)行擴展?！?/p>

　　美高森美下一代SiC MOSFET和新型SiC SBD在額定電流下具有高重復性的非鉗位電感性開(kāi)關(guān)(UIS)能力，無(wú)任何退化或故障。新型碳化硅(SiC) MOSFET在大約每平方厘米10到15焦耳(J/cm2)的情況下可保持較高的UIS能力，并在3到5微秒內保持穩健的短路保護功能。美高森美的SiC SBD在低反向電流下具有平衡浪涌電流、正向電壓、熱阻和熱容額定值，可降低開(kāi)關(guān)損耗。此外，美高森美SiC MOSFET和SiC SBD芯片可以在模塊中配對使用。

　　美高森美的新型SiC MOSFET和SBD非常適合工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)中的各種應用，其SiC MOSFET也可用于醫療、航天、國防和數據中心市場(chǎng)中的開(kāi)關(guān)電源和電機控制應用。實(shí)例包括混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)/純電動(dòng)充電、插電/感應式車(chē)載充電 (OBC)、DC-DC轉換器、EV動(dòng)力系統/牽引控制、開(kāi)關(guān)電源、光伏(PV)逆變器、電機控制和航空推進(jìn)。

　　市場(chǎng)研究和咨詢(xún)公司IndustryARC指出，提高功率轉換效率和最大限度地降低功率損耗的要求驅動(dòng)了電力電子應用的增長(cháng)，使得寬帶隙半導體技術(shù)(即基于SiC的器件)有可能從開(kāi)發(fā)階段轉向商業(yè)階段。電力轉換的進(jìn)步為基于碳化硅的電動(dòng)汽車(chē)充電設備打穩了基礎，這有助于減少電池充電周期并降低電池組的高成本。將SiC器件集成在車(chē)載充電機和DC-DC功率轉換系統中，可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)頻率和更低的損耗。IndustryARC預計電動(dòng)汽車(chē)充電領(lǐng)域中的SiC市場(chǎng)將在2024年之前以大約33%的速率增長(cháng)。

　　面對這些發(fā)展趨勢，美高森美已經(jīng)做好了充分的準備，其SiC MOSFET的額定失效時(shí)間(FIT)比同類(lèi)硅IGBT在額定電壓方面的中子敏感度要低10倍;其SiC SBD配合了SiC MOSFET的穩健性，UIS能力比競爭對手的器件高出20%。美高森美的SiC產(chǎn)品還具有許多其他優(yōu)勢，包括同樣物理尺寸的功率輸出增加25到50%以實(shí)現更高的系統效率、相比IGBT更高的開(kāi)關(guān)頻率、更小的系統尺寸和重量、高溫度范圍內的工作穩定性(+175度)以及顯著(zhù)的散熱成本節省。

　　在3月4日至8日舉辦的APEC展覽會(huì )上展示和產(chǎn)品供貨

　　美高森美正在提供下一代1200V SiC MOSFET系列40 mOhm MSC040SMA120B器件的樣品，與之配合的SiC SBD產(chǎn)品已全面投入生產(chǎn)。如要了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)公司網(wǎng)頁(yè)https://www.microsemi.com/product-directory/mosfet/3539-sic-mosfet 或聯(lián)絡(luò )sales.support@microsemi.com。這些器件和相應的SiC柵極驅動(dòng)器解決方案將于2018年3月4至 8日在美國得克薩斯州圣安東尼奧市舉辦的APEC 2018展會(huì )的Richardson RFPD 1147號展位進(jìn)行展示。