納微GaNFast解決方案

作者/Stephen Oliver 銷(xiāo)售及營(yíng)銷(xiāo)副總裁

對納微(Navitas)公司和半導體行業(yè)而言，伴隨著(zhù)寬帶隙技術(shù)將取代舊式硅器件，這將是一個(gè)動(dòng)態(tài)變化的時(shí)代。平面GaN器件正在取代高達650V和5kW的Si FET器件，而在更高電壓和功率水平應用中，垂直SiC部件取代Si IGBT。納微通過(guò)全新的高成本效益GaNFast解決方案，著(zhù)手解決價(jià)值300億美元的Si FET和驅動(dòng)器市場(chǎng)需求。

FET、驅動(dòng)器和邏輯電路的單片集成，全部采用650V GaN工藝，從而實(shí)現許多軟開(kāi)關(guān)拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。這意味著(zhù)Navitas GaNFast器件和參考設計實(shí)現了前所未有的小尺寸、低重量和高效率水平，為從智能手機和平板電腦到筆記本電腦，監視器和游戲系統等終端產(chǎn)品帶來(lái)快速充電速度。最近納微公司在美國圣安東尼奧的APEC會(huì )議上宣布推出世界上最小的27W USB-PD快速充電器和世界上最薄的通用適配器。