人物：中國半導體材料科學(xué)的奠基人林蘭英院士

　　也許，在你的日記里，今天(2月7日)相當沉悶和平常，你覺(jué)得這是生命中普通的一天，但一百年前的今天可有一件大事發(fā)生，在這一天，我國半導體材料之母——林蘭英先生出生了。

　　作為我國半導體材料科學(xué)的奠基人與開(kāi)拓者，林蘭英兢兢業(yè)業(yè)地為半導體材料事業(yè)傾注了畢生心血，正因為她們這些科學(xué)家的努力，我國的半導體材料領(lǐng)域才能彎道超車(chē)，迎頭趕上世界前列水平。

　　一、來(lái)之不易的求學(xué)機會(huì )

　　1918年2月7日，在福建莆田林潤故居的最后一進(jìn)院子里，被稱(chēng)為“九牧林家”、“媽祖后人”的名門(mén)望族——林氏，誕生了一個(gè)女?huà)?。新生命的出世并沒(méi)有給這個(gè)大家族帶來(lái)歡笑，因為這是一個(gè)“嬸娘仔鬼”(當地方言，意指女孩)。

　　在舊中國，重男輕女之風(fēng)橫行，福建地區尤甚，當地甚至從宋朝開(kāi)始就有溺死女?huà)氲膼毫?。在這樣的環(huán)境下出世的女?huà)?，其祖父的失望可想而知。盡管如此，老人家還是履行了祖父的職責，為女?huà)肫鹈麨?ldquo;蘭英”。

　　林蘭英的父親林劍華長(cháng)期在外：先在上海大學(xué)文學(xué)系讀書(shū)，之后在南昌《國民日報》當編輯，母親則留在福建老家照顧老人和孩子。母親沒(méi)怎么受過(guò)教育，因為陳腐的觀(guān)念不讓小英子上學(xué)。為了獲得上學(xué)的機會(huì )，倔強的她把自己反鎖在屋里，近三天不吃不喝，絕食以死相逼才得到母親的應允，終于獲得了和男孩子一樣的學(xué)習機會(huì )。

　　二、在異國他鄉奮發(fā)進(jìn)取

　　林蘭英讀書(shū)認真刻苦，因為是女孩子的原因，求學(xué)路上也經(jīng)歷了很多磨難，但她都克服堅持了下來(lái)，最終憑借優(yōu)異的成績(jì)考入福建協(xié)和大學(xué)。大學(xué)畢業(yè)后，林蘭英留校任教，由于表現優(yōu)異，獲得出國留學(xué)機會(huì )。

　　留學(xué)期間，林蘭英的導師非常賞識她，有感于人才難得，要推薦她去芝加哥大學(xué)讀數學(xué)博士學(xué)位。但經(jīng)過(guò)深思熟慮后，林蘭英認為，當時(shí)貧窮落后的祖國，最為需要、最為適用的，還是物理。想想看，天上飛的，地下跑的，水中“游”的，乃至修一座高樓，建一座城市，都與物理密切相關(guān)。對祖國飽含深情的林蘭英，不應是想學(xué)什么，而應是該學(xué)什么，一切服從祖國建設事業(yè)的迫切需要。

　　因此林蘭英決定：謝絕教授的好意，中斷在數學(xué)王國里的遨游，于1949年秋，前往賓大研究院，致力于固體物理學(xué)的研究。適逢美國貝爾實(shí)驗室的物理學(xué)家運用固體物理理論解釋了半導體現象，并與冶金技術(shù)結合制成了世界上第一塊半導體鍺單晶，轟動(dòng)了全世界。正在學(xué)習固體物理的林蘭英，迅速發(fā)現這項研究對國家戰略的巨大意義，開(kāi)始了對半導體材料的研究。

　　時(shí)光冉冉，經(jīng)過(guò)五年的學(xué)習，于1955年夏，林蘭英成為賓夕法尼亞大學(xué)建校115年來(lái)的第一位中國博士，也是該校有史以來(lái)的第一位女博士。

　　三、毅然回國，在祖國科學(xué)園地里辛勤耕耘

　　博士畢業(yè)后，林蘭英沖破重重阻撓，毅然投身到祖國的懷抱。雖然她的積蓄全被美國當局扣押，回國后已經(jīng)身無(wú)分文，但她還是毅然將自己冒險帶回來(lái)的“藥”——價(jià)值20多萬(wàn)元的500克鍺單晶和100克硅單晶，無(wú)償地贈給了中國科學(xué)院，成了我國半導體科學(xué)工作者求之不得的無(wú)價(jià)之寶。

　　黨和國家對回國的林蘭英博士高度重視，安排她去中科院應用物理所工作。在應用物理所，林蘭英第一個(gè)目標就是：拉制出屬于中國的第一根硅單晶!當時(shí)新中國百廢待興，制取硅單晶最需要的保護氣——氬氣更是稀缺，這種氣體國內不能生產(chǎn)，又被列在國外的禁運名單上。最終，林蘭英想出了抽真空的方法，并且把她在美國發(fā)明的籽晶保護罩運用到了制造過(guò)程中。1958年，在她的努力下，拉制出了中國第一根硅單晶。

　　1961年，她又把目光投向了硅外延材料的研制。這是一種具有兩層硅單晶結構的材料，具有非常重要的戰略意義。在硅單晶的基礎上，她又一次成功了。這種硅外延材料制作的一些新型硅器件，使得軍用雷達、電臺、遙感測量?jì)x器等更為精確可靠。值得一提的是，這種材料在第一顆原子彈的制造過(guò)程中發(fā)揮了不可忽視的作用。林蘭英也因此成為了為“兩彈一星”作出重要貢獻的科學(xué)家之一。

　　終身未婚的林蘭英，生活的軌跡基本就是在家和單位之間，全身心投入到了我國的半導體事業(yè)當中。先后負責研制出中國第一根單晶硅、第一臺高壓?jiǎn)尉t、第一片單異質(zhì)結 SOI 外延材料、第一根 GAP 半晶、第一片雙異質(zhì)結 SOI 外延材料。因此四次獲中科院科技進(jìn)步獎一等獎，兩次獲國家科技進(jìn)步二、三等獎，1996年獲何梁何利科技進(jìn)步獎，1998年獲霍英東成就獎。她的工作極大推進(jìn)了我國半導體材料的研究高度，為微電子和光電子學(xué)的發(fā)展奠定了基礎，為我國太空事業(yè)做出巨大貢獻。她還培養了包括吳德馨、王占元兩位院士在內的大批優(yōu)秀科研工作者。

　　2003年3月4日下午1時(shí)36分，林蘭英院士與世長(cháng)辭，享年85歲。