ROHM旗下藍碧石半導體開(kāi)始量產(chǎn)在不穩定的電源環(huán)境下也可進(jìn)行高速數據備份的1Mbit FeRAM“MR45V100A/MR44V100A”

　　<概要>

　　ROHM集團旗下藍碧石半導體面向需要高速高頻率的日志數據獲取和緊急時(shí)高速數據備份的智能儀表/計量設備/醫療設備/金融終端等，開(kāi)發(fā)出1Mbit鐵電存儲器(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“FeRAM”注1)“MR45V100A / MR44V100A”，并即將于2017年12月開(kāi)始量產(chǎn)銷(xiāo)售。

　　“MR45V100A”作為SPI注2總線(xiàn)產(chǎn)品，在1.8V～3.6V的寬電源電壓范圍內均實(shí)現40MHz的高速工作。這使得該款產(chǎn)品作為大容量的1Mbit FeRAM，在諸如不穩定的電源環(huán)境下的電壓急劇下降時(shí)也可高速穩定工作，其高速數據備份功能有助于提高配套應用的可靠性。而“MR44V100A”作為不同的串行總線(xiàn)I2C注3總線(xiàn)產(chǎn)品，則非常適用于不需要速度的應用。

　　另外，為了滿(mǎn)足移動(dòng)應用需求，改進(jìn)了待機(待機)模式，同時(shí)還首次在藍碧石FeRAM中搭載了睡眠(休眠)模式，以限制數據量增加導致的功耗増加。在1Mbit FeRAM中分別實(shí)現了業(yè)界最小級別※的待機電流10μA(平均)和睡眠電流0.1μA(平均)，使產(chǎn)品還可用于重視電池驅動(dòng)時(shí)間的支付終端和數據記錄儀等手持終端和移動(dòng)設備/終端。

　　目前本LSI的樣品正在銷(xiāo)售中，預計于2017年12月開(kāi)始量產(chǎn)并批量供貨。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部(日本京都)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)。

　　<背景>

　　非易失性存儲器FeRAM與EEPROM和FLASH存儲器等非易失性存儲器相比，具有“高速數據擦寫(xiě)”“耐擦寫(xiě)性能優(yōu)異”“低功耗”等特點(diǎn)。

　　藍碧石半導體凝聚ROHM的鐵電存儲器制造技術(shù)和藍碧石的存儲器開(kāi)發(fā)技術(shù)優(yōu)勢，從2011年開(kāi)始致力于各種容量和接口的FeRAM開(kāi)發(fā)。產(chǎn)品已被需要非易失且高速高頻率數據擦寫(xiě)的多功能打印機、汽車(chē)配件、FA(Factory Automation)設備等廣為采用。

　　近年來(lái)，電子設備對于數據規模增加、更低功耗、移動(dòng)應用、瞬間停電等緊急情況下的數據安全性提升要求越來(lái)越高。藍碧石半導體為滿(mǎn)足這些需求，致力于實(shí)現更大容量、更寬電源電壓范圍和高速工作兼備、更低功耗(包括待機/休眠時(shí)在內)的產(chǎn)品，并成功開(kāi)發(fā)出有望應用到電池驅動(dòng)的移動(dòng)設備/終端等的FeRAM。

　　<特點(diǎn)>

　　1.可在 1.8V～3.6V的更寬范圍內40MHz工作

　　FeRAM與EEPROM、FLASH存儲器等非易失存儲器相比，可實(shí)現高速數據擦寫(xiě)并低電壓工作，因而具有即使在寫(xiě)入過(guò)程中發(fā)生瞬間電壓下降或停電，數據丟失風(fēng)險也較低的特點(diǎn)。

　　“MR45V100A”作為SPI總線(xiàn)產(chǎn)品，與藍碧石以往產(chǎn)品64Kbit FeRAM“MR45V064B”同樣在1.8V～3.6V的整個(gè)電源電壓范圍內確保40MHz工作，性能同等，但容量更大，達1Mbit。因而在要求高安全性的應用中，可直接處理更大規模的數據。

　　2. 作為大容量FeRAM，實(shí)現業(yè)界最小級別的待機/休眠電流

　　在電子設備中，低功耗要求越來(lái)越高，一般采用比如使系統運轉過(guò)程中無(wú)需工作的部件轉入低電流模式，以降低設備整體平均功耗等手法來(lái)實(shí)現低功耗。

　　在這種背景下，MR45V100A / MR44V100A通過(guò)以下特點(diǎn)來(lái)降低電子設備的系統功耗，抑制數據量增加導致的功耗増加。

　?、?改進(jìn)待機模式，實(shí)現1Mbit FeRAM中業(yè)界最小級別的10μA待機電流

　　待機(Standby)模式時(shí)徹底關(guān)斷無(wú)需工作的電路的電源，當工作恢復時(shí)僅所需部分快速初始化，從而有效抑制住電流消耗。由此實(shí)現了平均10μA的1Mbit FeRAM中業(yè)界最小級別※的待機電流。

　?、?搭載睡眠模式，實(shí)現業(yè)界最小級別的0.1μA睡眠電流和最短睡眠模式恢復時(shí)間

　　※截至2017年11月藍碧石半導體調查數據

　　藍碧石首家搭載了比傳統待機(Standby)模式功耗低幾個(gè)數量級的的睡眠(休眠)模式，而且睡眠模式下的平均消耗電流僅為0.1μA，屬于業(yè)界最小級別※。不僅如此，從睡眠模式的恢復時(shí)間僅為100μs，為業(yè)界最短※，從而在希望休眠時(shí)間要短的應用中也可適用睡眠模式。

　　【規格概要】

　　【銷(xiāo)售計劃】

　　-商品名 ：MR45V100A / MR44V100A

　　-樣品出售時(shí)間 ：樣品銷(xiāo)售中

　　-樣品價(jià)格(參考) ：700日元(不含稅)

　　-量產(chǎn)出貨計劃 ：2017年12月開(kāi)始

　　【應用領(lǐng)域】

　　OA設備、工業(yè)設備、廣播設備、汽車(chē)配件、醫療設備、電池驅動(dòng)設備

　　【術(shù)語(yǔ)解說(shuō)】

　　(注1)　FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

　　鐵電存儲器。一種即使斷電也可保存存儲數據的非易失性存儲器，存儲元件采用鐵電電容。具有高速數據擦寫(xiě)、耐擦寫(xiě)性能優(yōu)異、低功耗的特點(diǎn)。

　　(注2)　SPI(Serial Peripheral Interface)

　　一種使用3條線(xiàn)(時(shí)鐘線(xiàn)、輸入數據線(xiàn)、輸出數據線(xiàn))進(jìn)行通信的串行通信標準。數據格式和原理更簡(jiǎn)單，因此可進(jìn)行高速通信。

　　(注3)　I2C(Inter-Integrated Circuits)

　　一種使用2條線(xiàn)(時(shí)鐘線(xiàn)和輸入輸出兼用數據線(xiàn))進(jìn)行通信的串行通信標準。因輸入輸出兼用而相應引腳數較少，但速度不及SPI。