中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)實(shí)現量產(chǎn)

　　英諾賽科(珠海)科技有限公司舉行8英寸硅基氮化鎵通線(xiàn)投產(chǎn)儀式。據悉，這是中國首條實(shí)現量產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)。由于高溫環(huán)境下生長(cháng)的氮化鎵薄膜冷卻時(shí)受熱錯配應力的驅動(dòng)下，容易發(fā)生破裂或翹曲，成為硅基氮化鎵大英寸化的主要障礙，英諾賽科采取獨有技術(shù)解決了這一挑戰，將硅基氮化鎵晶圓尺寸推進(jìn)到8英寸。

　　英諾賽科董事長(cháng)駱薇薇表示：“經(jīng)過(guò)2年的努力我們終于建成中國首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片生產(chǎn)線(xiàn)，并成功量產(chǎn)，添補了我國在這一領(lǐng)域的空白。這既是一個(gè)里程碑也是一個(gè)新的起點(diǎn)。公司將繼續在技術(shù)前沿上推進(jìn)，把握行業(yè)發(fā)展趨勢，在應用領(lǐng)域上不斷開(kāi)拓，在市場(chǎng)上與多方合作，將公司建成行業(yè)內最具影響力的企業(yè)。”

　　英諾賽科總經(jīng)理孫在亨表示：“氮化鎵又被稱(chēng)做寬禁帶半導體，是當今世界上最具潛力的半導體材料之一。中國是世界上最大的半導體產(chǎn)品市場(chǎng)，同時(shí)也是產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展最迅速?lài)?。氮化鎵產(chǎn)業(yè)將帶來(lái)巨大的創(chuàng )新發(fā)展機遇。”

　　英諾賽科是2015年12月由海歸團隊發(fā)起創(chuàng )辦，從事寬禁帶半導體電力電子器件的研發(fā)與生產(chǎn)，一期項目位于珠海市國家級高新區，已完成投資10.9億元，建設8英寸增強型硅基氮化鎵外延與芯片大規模量產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)。公司商業(yè)模式將采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，打造集研發(fā)、設計、外延生長(cháng)、芯片制造、測試于一體的生產(chǎn)平臺，主要產(chǎn)品包括100V-650V8英寸硅基氮化鎵外延片、100V-650V氮化鎵功率器件、氮化鎵集成電路。

　　硅氮化鎵技術(shù)能夠提高功率密度和能效，同時(shí)縮小器件尺寸，因此，非常適合用于電視機電源和D類(lèi)音頻放大器等消費電子產(chǎn)品，服務(wù)器和電信設備中使用的SMPS。有報告稱(chēng)，面向功率半導體的硅基板GaN技術(shù)市場(chǎng)，將以高達50%以上的年均復合增長(cháng)率(CAGR)成長(cháng)。到2023年，其市場(chǎng)容量將從2014年的1，500萬(wàn)美元，增至8億美元。