業(yè)界最快trr性能的600V超級結MOSFET PrestoMOS新增更低Ron、更低Qg的“R60xxMNx系列”

　　<概要>

　　全球知名半導體制造商ROHM的高速trr※1型600V 超級結MOSFET PrestoMOS※產(chǎn)品群又新增“R60xxMNx系列”，非常適用于要求低功耗化的白色家電及工業(yè)設備等的電機驅動(dòng)。PrestoMOS是擁有業(yè)界最快trr性能的功率MOSFET，以業(yè)界最小的開(kāi)關(guān)損耗著(zhù)稱(chēng)。因使搭載變頻器的白色家電的功耗更低而獲得高度好評。

　　此次開(kāi)發(fā)的“R60xxMNx系列”通過(guò)優(yōu)化ROHM獨有的芯片結構，在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基礎上，還成功地使Ron※2和Qg※3顯著(zhù)降低。由此，在變頻空調等電機驅動(dòng)的應用中，輕負載時(shí)的功率損耗與以往的IGBT相比，降低約56%，節能效果非常明顯。

　　不僅如此，“R60xxMNx系列”利用ROHM多年積累的模擬技術(shù)優(yōu)勢，還實(shí)現了超強的短路耐受能力，減輕了因電路誤動(dòng)作等導致的異常發(fā)熱帶來(lái)的破壞風(fēng)險，有助于提高應用的可靠性。

　　本系列產(chǎn)品已于2016年12月份開(kāi)始以月產(chǎn)10萬(wàn)個(gè)規模投入量產(chǎn)，前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Semiconductor (Korea) Co., Ltd.(韓國)。

　　今后，ROHM將繼續開(kāi)發(fā)凝聚了ROHM模擬設計技術(shù)優(yōu)勢的高性能、高可靠性產(chǎn)品，不斷為社會(huì )的進(jìn)一步節能貢獻力量。

　　<背景>

　　近年來(lái)，節能化趨勢日益加速，隨著(zhù)日本節能法的修訂，家電產(chǎn)品傾向于采用更接近實(shí)際使用情況的能效標識APF(Annual Performance Factor)※4，不再僅僅關(guān)注功率負載較大的設備啟動(dòng)時(shí)和額定條件下的節能，要求負載較小的正常運轉時(shí)更節能的趨勢日益高漲。據稱(chēng)，在全球的電力需求中，近50%被用于驅動(dòng)電機，隨著(zhù)空調在新興國家的普及，全球的電力局勢逐年嚴峻。在這種背景下，ROHM開(kāi)發(fā)出PrestoMOS，非常適用于要求低功耗化的空調等白色家電和工業(yè)設備等的電機驅動(dòng)，可大大降低應用正常運轉時(shí)的功耗，滿(mǎn)足了社會(huì )的節能需求。

　　<特點(diǎn)>

　　1. 業(yè)界最快的trr性能、低Ron、低Qg，有助于應用節能

　　一般MOSFET具有高速開(kāi)關(guān)和低電流范圍的傳導損耗低的優(yōu)點(diǎn)，設備正常運轉時(shí)可有效降低功耗?！癛60xxMNx系列”利用ROHM獨有的Lifetime控制技術(shù)，不僅保持了業(yè)界最快trr性能，而且Ron和Qg更低，非常有助于變頻電路的節能。

　　2.超強短路耐受能力，確?？煽啃?/p>

　　通常，一旦發(fā)生短路，即具有電路誤動(dòng)作、流過(guò)超出設計值的大電流、引起異常發(fā)熱、甚至元件受損的可能性。一直以來(lái)，因性能與短路之間的制約關(guān)系，確保超強的短路耐受能力是非常困難的，而“R60xxMNx系列”利用ROHM的模擬技術(shù)優(yōu)勢，對熱失控的成因---寄生雙極晶體管成功地進(jìn)行了優(yōu)化，可確保電機驅動(dòng)所必須的短路耐受能力，有助于提高應用的可靠性。

　　3.自導通損耗微小

　　自導通是指MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下，高邊主開(kāi)關(guān)一旦導通，則低邊MOSFET的漏極-源極間電壓急劇增加，電壓被柵極感應，柵極電壓上升，MOSFET誤動(dòng)作。該現象使MOSFET內部產(chǎn)生自身功率損耗。而“R60xxMNx系列”通過(guò)優(yōu)化寄生電容，可將該損耗控制在非常微小的最低范圍內。

　　<應用>

　　空調、冰箱、工業(yè)設備(充電站等)

　　<產(chǎn)品陣容表>

　　☆開(kāi)發(fā)中

　　另外，產(chǎn)品陣容包括下述封裝產(chǎn)品，詳情敬請垂詢(xún)。

　　同時(shí)，TO-263(LPTS)封裝的樣品也準備了一部分。

　　<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

　　※1　trr : 反向恢復時(shí)間

　　開(kāi)關(guān)二極管從導通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所花的時(shí)間。

　　※2　Ron : 導通電阻(Ω)

　　開(kāi)關(guān)二極管成為導通狀態(tài)時(shí)的電阻值。

　　※3　Qg : 柵極輸入電荷量

　　MOSFET進(jìn)行ON/OFF切換時(shí)，注入柵極電極所需的電荷量。

　　※4　APF(Annual Performance Factor)

　　全年使用家用空調時(shí)的能效比。數值越大節能性能越好。

　　Presto: 源自意大利語(yǔ)，是表示“極快”的音樂(lè )術(shù)語(yǔ)。

　　擁有業(yè)界最快trr性能的ROHM獨有的功率MOSFET。是實(shí)現業(yè)界最小開(kāi)關(guān)損耗的產(chǎn)品。