基于FPGA的超級電容充放電控制

超級電容是近年發(fā)展快速的一種大容量?jì)δ芷骷?，具有功率密度高、充放電時(shí)間短、效率高、使用壽命長(cháng)、清潔環(huán)保等特點(diǎn)。超級電容具有90％以上的充放電效率，充放電電流可達數安培至數百安培，充放電壽命可達10萬(wàn)次以上。在電動(dòng)汽車(chē)、UPS等產(chǎn)品上有很好的應用前景。

但是超級電容器參數存在離散性，即使是同一型號同一規格的超級電容器在其電壓、內阻、容量等參數上都存在著(zhù)不一致性，這是由制造過(guò)程中工藝和材質(zhì)不均造成的。而在使用中需要采用串聯(lián)的方式提高整體的輸出電壓，充電時(shí)大多采用先恒流后恒壓的充電方式，如圖1所示。充電前期采用恒流允電，當電容電壓達到一定值后，即t0時(shí)刻，冉采用恒壓充電，因為超級電容器的離散性，各單體到達t0時(shí)刻的時(shí)間就會(huì )不同，如果直接進(jìn)行串聯(lián)充電可能會(huì )使某些單體過(guò)充，而某些單體又欠充，嚴重危害超級電容器的使用壽命，放電時(shí)同樣如此，會(huì )出現某些單體過(guò)放現象。因此保證各單體的均衡充放電，對有效發(fā)揮所儲存的能量有著(zhù)非常重要的意義。


1 均壓控制原理

文中超級電容均壓部分采用逆變器和變壓器均壓技術(shù)實(shí)現。

如圖2所示，均壓電路由超級電容組、變壓器、逆變器和升壓斬波電路4部分組成。圖中的二極管起到反向保護作用。通過(guò)控制信號S1、S2、S3、S4即可實(shí)現電壓均衡，并可將電壓高的超級電容中的能量轉移到電壓低的超級電容中。

假設有N個(gè)超級電容串聯(lián)，將串聯(lián)超級電容組兩端總電壓通過(guò)升壓斬波電路接到逆變器的輸入端，以補償MOSFET及續流二極管上的導通壓降，逆變器的輸出接到匝數比為N的降壓變壓器的高壓側，則低壓側將產(chǎn)生振幅為N個(gè)超級電容單體電壓平均值的方波。以該方波作為電壓源再次對每個(gè)超級電容單體進(jìn)行充電。此時(shí)由于二極管的作用，只有單體電壓低于變壓器低壓側電壓值的超級電容才能進(jìn)行充電。逆變器工作一段時(shí)間以后，即可完成超級電容的均壓。

升壓斬波電路的輸出電壓，即逆變器的輸入電壓Vi滿(mǎn)足：
Vi=Vc+N*Vd+2Vs (1)

式中：Vc為N個(gè)串聯(lián)超級電容兩端總電壓；Vd為續流二極管上的正向導通壓降；Vs為MOSFET上的導通壓降。
逆變部分采用5kHz的50％占空比的PWM波加入一定的死區時(shí)間來(lái)實(shí)現，S1，S4采用同一組信號驅動(dòng)，S2，S3采用另外一組信號驅動(dòng)。

升壓斬波電路的控制信號采用20kHz的PWM波。

Boost變換器占空比公式


2 DC／DC主電路及控制方式

控制電路采用一端穩壓一端穩流的方式進(jìn)行充放電控制，當電路工作在buck充電方式時(shí)，超級電容端進(jìn)行先恒流充電到Vsc，再恒壓充電；當電路工作在boost放電方式時(shí)，直流母線(xiàn)電樂(lè )端進(jìn)行穩壓控制。充放電環(huán)節采用PI控制法進(jìn)行恒流或恒壓充、放電。

采用雙向buck／boost電路拓撲，控制策略是：

(1)當超級電容電壓Vc高于電容額定電壓Vcmax時(shí)，封鎖buck充電控制信號；當超級電容電壓Vc下降到電壓下線(xiàn)Vcmax時(shí)，封鎖boost放電控制信號。

(2)當超級電容電壓Vc在電壓下限Vcmax與最高電壓Vcmax之間時(shí)，DC／DC變換器能夠進(jìn)行buck充電控制，或boost放電控制：進(jìn)行buck還是boost需要根據直流母線(xiàn)電壓Vdc、電流Idc來(lái)決定。

(3)直流母線(xiàn)電壓Vdc高于設定高壓Vdcmax，進(jìn)行buck充電控制；低于設定低壓Vdcmin，進(jìn)行boost放電控制。母線(xiàn)電壓Vdc介于Vdcmax和Vdcmin之間是不動(dòng)作，既不充電也不放電。

3 控制系統軟件流程

按照上述控制策略，得到如圖4的程序流程圖，其中5kHz逆變?yōu)榫鶋弘娐分械哪孀兤?，采?0％的PWM脈沖波來(lái)實(shí)現，不需要復雜的控制算法。20kHz升壓模塊完成開(kāi)關(guān)管S1信號的產(chǎn)生。需要通過(guò)電壓采集電路，得到串聯(lián)電容的總電壓。4個(gè)判斷模塊通過(guò)判斷Vdc和Vc的電壓范圍決定對電容的充放電控制。


4 仿真分析

C1、C2初始電壓為2．7V，C3、C4為1V，仿真70s的時(shí)候基本均壓結束，電壓均衡到1．81V，由于電容并聯(lián)二極管的影響，電壓均衡點(diǎn)并沒(méi)有在算數平均值1．85V，并且升壓斬波器也消耗一部分能量。70s之后兩電容電壓基本保持同步變化。

圖6為均壓系統實(shí)物圖，由FPGA控制板，H橋逆變器以及驅動(dòng)電路和Boost升壓電路組成，FPGA控制板采用實(shí)驗室自主開(kāi)發(fā)的基于EP2C80 208C8N芯片的開(kāi)發(fā)板來(lái)完成控制信號的中生成，5個(gè)開(kāi)關(guān)管采用IRF640，驅動(dòng)芯片TR2103。通過(guò)仿真驗證了均壓系統的可行性。


5 結束語(yǔ)

文中簡(jiǎn)要介紹了應用超級電容所需要的幾項關(guān)鍵技術(shù)，并通過(guò)仿真和實(shí)物驗證，逆變采用50％占空比是為了使電壓較高的降壓速度與低壓電容的升壓速度相匹配，減少電能浪費。DC／DC充、放電模塊能實(shí)現對超級電容器組快速可靠充、放電，輸入功率大，保護可靠，充分發(fā)揮了超級電容的優(yōu)勢。