傳紫光挖Mstar創(chuàng )始人楊偉毅任長(cháng)江存儲CTO

　　據臺灣媒體報道，近年來(lái)在半導體產(chǎn)業(yè)動(dòng)作頻頻的大陸紫光集團宣布，總投資300億美元的南京半導體產(chǎn)業(yè)基地已于本月12日開(kāi)工。 據了解，紫光集團已網(wǎng)羅前晨星創(chuàng )辦人楊偉毅出任紫光旗下長(cháng)江存儲公司CTO，帶領(lǐng)紫光突破各國技術(shù)防衛戰。

　　大陸媒體報導，紫光南京廠(chǎng)的技術(shù)很有可能部分來(lái)自于臺灣。 據消息來(lái)源透露，這個(gè)重要人物正是楊偉毅，將讓紫光朝自主研發(fā)3D NAND Flash等先進(jìn)內存發(fā)展。 但未獲本人證實(shí)。

　　根據紫光集團官網(wǎng)上消息，紫光集團上個(gè)月18日與南京簽約，將投資300億美元成立南京半導體產(chǎn)業(yè)基地，并總投資人民幣300億元興建「紫光IC國際城」，這兩大投資項目已于本月12日動(dòng)工興建。 這也是紫光集團繼2016年12月30日的武漢長(cháng)江存儲項目開(kāi)工后，時(shí)隔42天又一起新臺幣千億元級的半導體大型投資案。

　　紫光集團稱(chēng)，南京半導體產(chǎn)業(yè)基地主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等，占地面積約1,500畝。 第一期投資約100億美元，月產(chǎn)芯片10萬(wàn)片，未來(lái)「將有力地支撐我國(指中國大陸)在主流內存領(lǐng)域的跨越式發(fā)展」。

　　此外，紫光集團還投資約人民幣300億元興建配套的IC國際城，包含科技園、設計封裝產(chǎn)業(yè)基地、國際學(xué)校、商業(yè)設施、國際人才公寓等綜合配套設施。

　　紫光集團董事長(cháng)趙偉國在動(dòng)土儀式上表示，紫光肩負國家使命，要以在全球半導體領(lǐng)域為中國產(chǎn)業(yè)實(shí)現突破和崛起為己任，以「不破樓蘭終不還」的堅強決心，踏實(shí)努力做好中國自己的半導體產(chǎn)業(yè)。

　　紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地與臺積電南京廠(chǎng)都位在南京江北新區浦口經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區。 紫光集團稱(chēng)，該基地將「以存儲芯片及儲存器尖端制造環(huán)節為突破口，集存儲產(chǎn)品設計、技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷(xiāo)售于一體，可帶動(dòng)設計、制造、封裝、測試等集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。 」

　　有關(guān)楊偉毅

　　據傳，紫光集團已網(wǎng)羅前晨星創(chuàng )辦人楊偉毅出任紫光旗下長(cháng)江存儲公司CTO，楊偉毅是當初晨星的研發(fā)領(lǐng)袖，半導體業(yè)界人士評估，他的技術(shù)能力將讓紫光如虎添翼。

　　晨星目前是聯(lián)發(fā)科旗下的公司，之前曾與聯(lián)發(fā)科激烈較勁，由于兩家公司的英文名稱(chēng)都是M開(kāi)頭，市場(chǎng)當時(shí)稱(chēng)為大小M之爭，晨星當時(shí)能從市場(chǎng)新兵快速成長(cháng)，有賴(lài)當時(shí)的兩大戰將，董事長(cháng)梁公偉與總經(jīng)理楊偉毅的精準操盤(pán)。

　　他們兩人再加上容天行、史德立(Sterling Smith)，四人在2002年共同創(chuàng )辦晨星，團隊主要是曾在德儀工作員工。

　　晨星的英文名稱(chēng)「Morning Star」，外界一直覺(jué)公司很神秘，外界形容晨星是軍事化管理、鐵血執行團隊、員工要等到早上看到星星，才能回家等不同的晨星故事。

　　這個(gè)神秘的卷標，來(lái)自公司未上市前的低調作風(fēng)，尤其研發(fā)領(lǐng)袖楊偉毅更是低調到不行。

　　鮮少人知道，楊偉毅在大陸廈門(mén)出生，后來(lái)到美國讀書(shū)工作，是典型「海歸派」，不過(guò)他不是回大陸，而是來(lái)臺創(chuàng )業(yè)。

　　而晨星能拿下三星的訂單，全賴(lài)楊偉毅前瞻的技術(shù)能力。

　　由于楊偉毅近年早已淡出臺灣半導體業(yè)界，此次又重新出現在大陸市場(chǎng)，頗令外界驚訝，而他能否一展當年的雄風(fēng)，讓紫光的研發(fā)技術(shù)能力更上一層樓，將是業(yè)界熱議的話(huà)題。

　　紫光挖腳全球 各競爭對手緊盯動(dòng)向

　　紫光集團大手筆在武漢、南京及成都興建晶圓廠(chǎng)，投入3D儲存型閃存、DRAM和邏輯芯片代工廠(chǎng)，將大舉向臺灣及國際半導體挖角，礙于美韓內存大廠(chǎng)已表態(tài)不愿技術(shù)移轉，內部已朝自主研發(fā)邁進(jìn)，各競爭對手也正密切注意后續進(jìn)度。

　　南亞科總經(jīng)理李培瑛認為，由于DRAM制造，必須累積相當長(cháng)的參數，在三星、SK海力士、美光等都不愿釋放技術(shù)下，大陸在五年內要建立自主DRAM技術(shù)，仍有極大難度。

　　對于近期美光已向南亞科和前華亞科挖角，南亞科表示目前跳槽紫光集團多是和制程技術(shù)及研發(fā)無(wú)關(guān)的周邊人員，短期內還看不出會(huì )對臺廠(chǎng)造成影響。