結型場(chǎng)效應管(JFET)的基礎知識

　　結構與符號：

　　在N區兩側擴散兩個(gè)P+區，形成兩個(gè)PN結。兩個(gè)P+區相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。

　　導電原理：

　　(1)VGS=0時(shí)，N型棒體導電溝道最寬(N型區)。有了VDS后，溝道中的電流最大。

　　(2)VGS<0時(shí)，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄。

　　當VGS

　　加上負VGS電壓和VDS電壓以后，VGD的負壓比VGS大，所以，二個(gè)反偏PN結的空間電荷區變得上寬下窄，使溝道形成楔形。

　　JFET通過(guò)VGS改變半導體內耗盡層厚度(溝道的截面積)控制iD，稱(chēng)為體內場(chǎng)效應器件;MOSFET主要通過(guò)改變襯底表層溝道的厚度來(lái)控制iD，稱(chēng)為表面場(chǎng)效應器件。

　　JFET的伏安特性(以N溝道JFET為例)：伏安特性曲線(xiàn)和電流方程與耗盡型MOSFET相似。但VGS必定要反向偏置。