存儲器EM原理圖

存儲器EM原理圖

存儲器EM的地址可以選擇由PC或MAR提供。當讀取EM中的指令時(shí)，其地址由PC提供；當讀取EM中的操作數時(shí)，其地址由MAR提供。

5、實(shí)驗內容與步驟
（1）、按照表2-12連線(xiàn)。

表 2-12 存儲器EM實(shí)驗連線(xiàn)表
連接信號孔接入孔作用有效電平
1J2座J3座將K23-K16接入DBUS[7:0]
2IRENK6IR, uPC寫(xiě)允許低電平有效
3PCOEK5PC輸出地址低電平有效
4MAROEK4MAR輸出地址低電平有效
5MARENK3MAR寫(xiě)允許低電平有效
6EMENK2存儲器與數據總線(xiàn)相連低電平有效
7EMRDK1存儲器讀允許低電平有效
8EMWRK0存儲器寫(xiě)允許低電平有效
9PCCKCLOCKPC工作脈沖上升沿打入
10MARCKCLOCKMAR工作脈沖上升沿打入
11EMCK CLOCK寫(xiě)脈沖上升沿打入
12IRCKCLOCKIR, uPC工作脈沖上升沿打入