關(guān)于NAND閃存顆粒 你必須知道這些事兒

　　同時(shí)，在業(yè)界，根據在垂直方向堆疊的顆粒層數不同，和選用的顆粒種類(lèi)不同，3D NAND顆粒又可以分為32層、48層甚至64層 3D TLC/MLC顆粒的不同產(chǎn)品，這取決于各大原廠(chǎng)廠(chǎng)商的技術(shù)儲備和實(shí)際選用的顆粒種類(lèi)。

　　我們可以打個(gè)比方，來(lái)理解2D NAND和3D NAND技藝之間的區別和聯(lián)系。

　　2D NAND就如同在一塊有限的平面上建立的數間平房，這些平房整齊排列，但是隨著(zhù)需求量的不斷增加，平房的數量不斷井噴，可最終這塊面積有限的平面只能容納一定數量的平房而無(wú)法繼續增加;

　　3D NAND則就如同在同一塊平面上蓋起的樓房，在同樣的平面中，樓房的容積率卻遠遠高于平房，因而它能提供更多的空間，也就是提供了更大的存儲空間，而32層、48層以及64層，則就是這些樓房的高度，一共堆疊了多少層。

　　2D NAND是平房;3D NAND是樓房(圖片來(lái)自互聯(lián)網(wǎng))

　　雖然，3D NAND技術(shù)能夠在同等體積下，提供更多的存儲空間，但是這項堆疊技術(shù)對于原廠(chǎng)制造商來(lái)說(shuō)有著(zhù)相當的操作難度，需要原廠(chǎng)有著(zhù)相當的技術(shù)積累，因而目前能夠掌握3D NAND技術(shù)的原廠(chǎng)公司十分少見(jiàn)，只有三星、美光等少數公司的3D NAND顆粒實(shí)現了量產(chǎn)和問(wèn)世。

　　閃存發(fā)展趨勢：3D NAND技術(shù)是未來(lái)

　　雖然目前，許多原廠(chǎng)還沒(méi)有完全掌握3D NAND技術(shù)，但是隨著(zhù)市場(chǎng)對于大容量存儲設備需求的不斷走高，2D NAND生產(chǎn)線(xiàn)的成本不斷提升，以及3D NAND技術(shù)帶來(lái)的利潤翻倍，都將推動(dòng)各大原廠(chǎng)積極探索和研究更高堆疊層數的3D NAND技術(shù)。

　　根據筆者了解，包括三星、東芝等以上六大原廠(chǎng)廠(chǎng)商，都已早在2016年年初開(kāi)始研發(fā)3D NAND技術(shù)，而在即將到來(lái)的2017年更是會(huì )推出基于新一代3D NAND技術(shù)制造的閃存產(chǎn)品，以滿(mǎn)足當下智能手機、固態(tài)硬盤(pán)等設備對于大容量顆粒的需求。

　　(圖片來(lái)自網(wǎng)絡(luò ))

　　上表，是各大閃存原廠(chǎng)的技術(shù)更新表，通過(guò)表格我們可以輕松看到，各大原廠(chǎng)已經(jīng)在2016年研發(fā)了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒，由于技術(shù)不成熟以及2D NAND生產(chǎn)線(xiàn)替換問(wèn)題，如今3D NAND的良品率并不高，總產(chǎn)量也不夠高，因而才引發(fā)了當下固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)價(jià)格的瘋漲。

　　3D NAND量產(chǎn)太低

　　可以預計，隨著(zhù)2017年各大閃存廠(chǎng)商開(kāi)始專(zhuān)心研發(fā)3D NAND閃存，以及2D NAND生產(chǎn)線(xiàn)替換的完成，閃存顆粒市場(chǎng)的3D NAND將成為絕對的主流，同時(shí)由于量產(chǎn)的提高和良品率的提升，閃存顆粒的出廠(chǎng)價(jià)勢必也會(huì )應聲下調，那個(gè)時(shí)候也就是各類(lèi)存儲設備價(jià)格回歸正常的時(shí)候。

　　3D NAND技術(shù)將成為發(fā)展趨勢

　　最后，筆者想說(shuō)的是，閃存顆粒技術(shù)在這幾年，除了制程上有著(zhù)小規模的提升外，3D NAND技術(shù)的出現絕對是閃存制造工藝史上的革命，同時(shí)也是閃存顆粒發(fā)展的未來(lái)趨勢，更低的成本、更高的容量，帶來(lái)的是更高的利潤率，這也是各大原廠(chǎng)爭相研發(fā)3D NAND技術(shù)的根本原因吧。