因DRAM價(jià)格下跌 三星半導體16產(chǎn)線(xiàn)將轉產(chǎn)閃存

三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠(chǎng)，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據南韓電子新聞報導，三星預計于2011年初完工的半導體華城廠(chǎng)16產(chǎn)線(xiàn)，將于2011年下半開(kāi)始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。

2010年5月在三星會(huì )長(cháng)李健熙的參與下，華城廠(chǎng)16產(chǎn)線(xiàn)正式動(dòng)工。包含建筑物費用等將階段性投入12兆韓元進(jìn)行建設。三星半導體16產(chǎn)線(xiàn)以12季г參基準，每月最大產(chǎn)能可達20萬(wàn)片以上。

三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行閃存生產(chǎn)作業(yè)，是因為近來(lái)計算機需求萎靡，且進(jìn)入第3季后DRAM價(jià)格持續下跌，而閃存則搭上智能型手機(Smartphone)和平板計算機(TabletPC)暢銷(xiāo)熱潮，需求也隨之增加。

海力士(Hynix)曾對外表示2011年DRAM產(chǎn)能將維持與2010年相同水平，僅在微細制程轉換上進(jìn)行投資。然而至2010年底月產(chǎn)能約8萬(wàn)片的清州閃存專(zhuān)用M11產(chǎn)線(xiàn)，仍將于2011年擴大產(chǎn)能至12萬(wàn)片，也是為呼應此市場(chǎng)趨勢。

三星目前運用華城廠(chǎng)14產(chǎn)線(xiàn)及美國德州奧斯汀廠(chǎng)生產(chǎn)12季г倉圃焐鏈媯華城廠(chǎng)12產(chǎn)線(xiàn)則混合生產(chǎn)DRAM和閃存。

南韓業(yè)界相關(guān)人員表示，若三星將既有的閃存產(chǎn)線(xiàn)轉換成微細電路制程，約可創(chuàng )造50~60%的位成長(cháng)率(BitGrowth)，但三星2011年達到80%位成長(cháng)率的目標，在執行面上則有困難。因此勢必將目前興建中的16產(chǎn)線(xiàn)轉生產(chǎn)閃存，才可能達到80%的目標值。