東芝開(kāi)始全球首批64層3D NAND閃存的樣品出貨

　　東京-東芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲器，采用了堆棧式單元結構[1]。該款64層工藝的存儲器于今天成為了世界首款[2]樣品出貨的產(chǎn)品。新型存儲器采用3-bit-per-cell(1個(gè)存儲器儲存單元可存放3比特的數據)技術(shù)，實(shí)現了256Gbit(32GB)的容量。這種進(jìn)步印證了東芝專(zhuān)有架構的潛力。東芝將不斷精進(jìn)BiCS FLASHTM制造工藝，其發(fā)展藍圖中的下一個(gè)里程碑將是同樣采用64層堆棧的512Gbit(64GB)容量存儲器。

　　這款新型存儲器沿襲48層BiCS FLASHTM，并采用領(lǐng)先的64層堆疊工藝，使每個(gè)單元芯片的容量比48層堆疊工藝增加40%，在降低每比特成本的同時(shí)提高每個(gè)硅晶圓的存儲容量的可加工性。64層BiCS FLASHTM滿(mǎn)足嚴格的性能規范，將用于包括企業(yè)級SSD和消費級SSD、智能手機、臺式電腦和存儲卡等存儲相關(guān)應用。

　　東芝自2007年6月發(fā)布世界首款3D[3] NAND閃存存儲技術(shù)原型以來(lái)，一直致力于積極推進(jìn)BiCS FLASHTM發(fā)展，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對于更小尺寸且更大容量的存儲需求。

　　東芝已于本月初在日本四日市的Fab2新廠(chǎng)生產(chǎn)該新型64層BiCS FLASHTM，并計劃于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。

　　注：

　　[1] 棧式結構閃存存儲器單元垂直于硅基板，大大提高了密度，并超過(guò)二維NAND閃存存儲器，單元在硅基板上形式。

　　[2] 截至至2016年7月，東芝調查

　　[3] 東芝提出，2017年6月12日

　　*BiCS FLASH是東芝公司的商標。