摩爾定律走到28nm制程節點(diǎn)就好?
就如同我們在兩年多以前所預測,IC產(chǎn)業(yè)正分頭發(fā)展,只有少數產(chǎn)品積極追求微縮至7奈米制程節點(diǎn),但大多數的設計仍停留在28奈米或更舊的節點(diǎn)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201608/296274.htm筆者曾在2014年的一篇文章中(參考閱讀)指出,摩爾定律(Moore's Law)的最后一個(gè)節點(diǎn)已經(jīng)確認,就是28奈米;那篇文章寫(xiě)道:“在28奈米之后,我們能繼續把電晶體做得更小、但卻無(wú)法更便宜;”如下圖三星(Samsung)在近期舉行的Semicon West 2016大會(huì )上的簡(jiǎn)報所描述的。

英特爾(Intel)也曾經(jīng)表示未來(lái)半導體制程節點(diǎn)的演進(jìn)時(shí)間將會(huì )拉長(cháng),但該公司聲稱(chēng)電晶體的成本仍能維持下降;不過(guò)英特爾在晶圓代工領(lǐng)域未有令人印象深刻的成就,顯示情況并非如此。
在另外一篇部落格文章中(參考閱讀),作者提到:“英特爾會(huì )聲稱(chēng)他們的10奈米與7奈米節點(diǎn)比其他晶圓代工業(yè)者(如臺積電與三星)更好,但這一點(diǎn)需要在晶片層級以PAAC ──功耗(power)、性能(performance)、面積(area)與成本(cost)──為基準來(lái)佐證;在每一個(gè)制程節點(diǎn),其他晶圓代工業(yè)者在SoC的PPAC都擊敗了英特爾,我不預期這在10奈米或7奈米節點(diǎn)會(huì )有所改變?!?/p>
這些討論現在看起來(lái)都太理論,但先進(jìn)制程節點(diǎn)元件的實(shí)際工程成本,已經(jīng)證明對產(chǎn)業(yè)界大多數廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)都太昂貴;因此如各方之預測,半導體產(chǎn)業(yè)確實(shí)已經(jīng)分頭發(fā)展,只有少數會(huì )追求微縮至7奈米,而大多數仍維持采用28奈米或更舊節點(diǎn)的設計。
下圖是一位半導體產(chǎn)業(yè)資深編輯Ed Sperling在最近發(fā)表的一篇部落格文章(參考閱讀)中所引用的,從每一季臺積電(TSMC)財報統計出的先進(jìn)制程節點(diǎn)營(yíng)收變化;從中或許更可以看出,已經(jīng)有50年歷史的摩爾定律是真的已到盡頭,產(chǎn)業(yè)界現在要面對一個(gè)全新的現實(shí)。

類(lèi)似的趨勢觀(guān)察也來(lái)自于Mentor Graphics一位作者的部落格文章(參考閱讀):“65奈米及以上的制程節點(diǎn),仍占據整體晶圓產(chǎn)量約43%、或是48%的晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能;更明顯的趨勢是,65奈米及以上節點(diǎn)占據所有初始設計(design starts)的近85% (如下圖);顯然成熟制程節點(diǎn)仍然不會(huì )在短時(shí)間之內功成身退?!?/p>

這對創(chuàng )新來(lái)說(shuō)是個(gè)好消息,因為多樣化的選擇有助于支持新想法以及新技術(shù),例如3D NAND、FD-SOI、MEMS…等等,這些技術(shù)能為新興的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用實(shí)現新產(chǎn)品。
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