解讀實(shí)現中國存儲器夢(mèng)的三條路徑

　　自主研發(fā)

　　這是一條最為艱難之路，因為仔細思考目前除了有錢(qián)，技術(shù)與人材都不具備，再加上全球存儲器壟斷，西方處處堵截我們，因此中國只有狠下一條心，丟掉一切幻想，加強自主研發(fā)，為國家爭一口氣。

　　但是科學(xué)技術(shù)來(lái)不得半點(diǎn)虛假，必須遵循規律，因此需要人材，投入及時(shí)間。目前第一階段的目標是2018年，100，000片產(chǎn)能，量產(chǎn)32層3D NAND閃存。

　　擺在首位的肯定是技術(shù)上迅速的突破，新芯至少要過(guò)32層，多少納米制程尚不清楚。技術(shù)上能突破是新芯的立足之本。

　　中國存儲器業(yè)發(fā)展可能分成三步：第一步是盡快的研發(fā)成功，早日量產(chǎn)：第二步是提高制程技術(shù)，并迅速的降低成本;第三步在全球存儲器的下降周期時(shí)逆勢的擴充產(chǎn)能，縮小差距。

　　看似簡(jiǎn)單的步驟，執行起來(lái)經(jīng)常會(huì )受到各種干擾，因此貴在堅持。從此點(diǎn)上趙董事長(cháng)有長(cháng)處，西北漢子的性格，能勇往直前，迅速作出決斷。然而中國半導體業(yè)尚處在非完全市場(chǎng)經(jīng)濟階段，有許多非市場(chǎng)化的因素一定會(huì )導入，讓企業(yè)左右為難，但是最終一定要作出抉擇。

　　尤其是當企業(yè)出現虧損時(shí)，而且是連續數年之后，還要能說(shuō)服自己，及股東能繼續的投資，需要鐵婉式的決斷。

　　近期魏少軍博士講，存儲器項目最困難的是項目啟動(dòng)的三年之后。那時(shí)生產(chǎn)線(xiàn)己經(jīng)開(kāi)通，關(guān)鍵要產(chǎn)出有競爭力的市場(chǎng)產(chǎn)品。否則盡管產(chǎn)品生產(chǎn)很多，庫存也很大，會(huì )帶來(lái)很大的資金壓力，這是一定會(huì )發(fā)生的事。

　　存儲器業(yè)的特征就是起伏大，價(jià)格下降快，不是處于全球的領(lǐng)先地位，面臨虧損的幾率是非常大。

　　所以趙董事長(cháng)的角色并不好當，既要符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要，又要為投資的股民謀福利，有時(shí)是個(gè)互相矛盾的事。

　　中國發(fā)展存儲器業(yè)是國策，是塊硬骨頭，目前己無(wú)退路，只有向前挺進(jìn)?，F階段各種模式都可以嘗試一下，從目前的態(tài)勢肯定走自主研發(fā)道路的風(fēng)險要更大些，因此要集中國內的最頂級人材，也可學(xué)習臺積電的“夜鶯部隊”方式，爭取更多的時(shí)間去努力攻克它，但是相信只有通過(guò)自主研發(fā)的成果才是屬于自己的。

　　另外合資發(fā)展的模式可能相對易行，兩岸合作實(shí)現雙贏(yíng)是大勢所趨，它對于中國能早日產(chǎn)出存儲器芯片是有十分重要的意義。