深入淺出常用元器件系列——BJT

　　一.晶體管主要參數

　　晶體管主要參數我們在課本上都學(xué)習過(guò)，這里不多說(shuō)。只是提醒幾個(gè)容易忽略的問(wèn)題。

　　1.發(fā)射結反向電壓，

　　這是晶體管的一個(gè)極限參數，也就是說(shuō)如果這個(gè)參數超額使用晶體管很容易損壞。在datasheet中這個(gè)參數用V(BR)EB。這個(gè)參數的是指，當集電極開(kāi)路時(shí)，發(fā)射極-基極的反向擊穿電壓。在正常工作狀態(tài)時(shí)，發(fā)射結是正偏的或截止的，不存在問(wèn)題。然而在某些場(chǎng)合，例如工作開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，由于寄生參數的影響，發(fā)射結上有可能出現較大的反向電壓擊穿晶體管。所以在設計電路時(shí)需要小心考慮這個(gè)參數。

　　2.集電極最大允許電流

　　這是晶體管另外一個(gè)極限參數，顧名思義，指晶體管集電極允許流過(guò)的最大電流。但這個(gè)參數一般只具有參考意義，并Ic小于Icm晶體管就一定可以正常工作，Ic大于Icm晶體管也不一定燒毀。當Ic過(guò)大時(shí)，電流放大系數會(huì )下降，當 下降到一定值時(shí)的Ic值即為Icm，所以當工作電流大于Icm時(shí)，BJT不一定會(huì )燒壞。另外，Ic還受制于晶體管的允許最大功率(Pcm)，晶體管上損耗的功率不只跟工作電流Ic有關(guān)，還有晶體管的兩個(gè)PN結壓降有關(guān)，所以，晶體管工作電流Ic小于Icm時(shí)，也有可能會(huì )出現晶體管功率已經(jīng)達到Pcm，晶體管可能會(huì )被燒毀。

　　3.電流放大系數

　　晶體管有兩個(gè)電流放大系數，即交流放大系數和直流放大系數，顯然兩個(gè)含義不同(具體請查閱教材)，但是在一般情況下兩者相差不大，可認為相等。BJT的datasheet中一般只給出直流放大系數。

　　二. 晶體管開(kāi)關(guān)電路

　　由于教材里面更多的介紹晶體管放大電路，晶體管開(kāi)關(guān)電路相關(guān)內容較少，以至于很多同學(xué)在接觸到晶體管開(kāi)關(guān)電路時(shí)，無(wú)所適從。

　　下面介紹了從共射極放大電路到晶體管開(kāi)關(guān)電路的演變過(guò)程。

　　(a)為一般的共射級放大電路，為了獲得直流增益，去掉輸入輸出耦全電容，得到(b)。進(jìn)一步為了提高放大倍數，去掉發(fā)射極電阻Re,變?yōu)?c)。這樣一來(lái)，也就沒(méi)有必要加基極偏置電壓，當輸入信號為0V時(shí)，晶體管截止，所以集電極也沒(méi)有必要流過(guò)無(wú)用空載電流，因此去掉偏置用電阻R1構成(d)。為確保沒(méi)有輸入信號時(shí)，晶體管可靠截止，需要保留電阻R2。但是如果(d)中電路輸入信號超過(guò)0.7V時(shí)，晶體管基極-發(fā)射極間的二極管將導通，需要增加一個(gè)限流電阻R3，即構成典型的晶體管開(kāi)關(guān)電路(e)。

　　需要注意的是，在晶體管開(kāi)關(guān)電路中，要保證晶體管工作在飽和狀態(tài)和截止狀態(tài)兩種工作狀態(tài)，設計依據為Ib*hfe>=Ic。前面提到過(guò)，由于晶體管制造工藝的問(wèn)題，晶體管的直流放大系數hfe一般是一個(gè)范圍，而非確定的數值，所以在進(jìn)行電路設計時(shí)需要以直流放大系數的最小值進(jìn)行設計并留有一定裕量。